[发明专利]一种无掩膜去除钝化接触电池多晶硅绕镀的方法

摘要

本发明涉及一种无掩膜去除钝化接触电池多晶硅绕镀的方法，包括N型晶体硅基体，N型晶体硅基体背面从内到外依次为超薄的隧穿氧化层、磷掺杂多晶硅层和含磷氧化层，正面为硼掺杂的发射极，发射极分为第一区域和第二区域，第一区域含有多晶硅绕镀，第二区域不含有多晶硅绕镀；绕镀的去除方法为：先正面HF清洗，然后双面碱洗，最后双面HF清洗。其有益效果是：本发明先通过单面接触HF的方式保留背面氧化硅，作为背面的保护层，使之在后续碱溶液中能够保护电池背面结构；然后利用不同掺杂浓度的硅与碱溶液的反应的速率差，以达到去除绕镀的目的。

主权项

1.一种无掩膜去除钝化接触电池多晶硅绕镀的方法，其特征在于：包括N型晶体硅基体，所述N型晶体硅基体背面为多晶硅层，正面为硼掺杂的发射极，所述发射极分为第一区域和第二区域，所述第一区域含有多晶硅绕镀，所述第二区域不含有多晶硅绕镀；所述第一区域的多晶硅绕镀的去除方法包括如下步骤：/n(1)、进行注入和退火处理，以使得N型晶体硅基体背面的多晶硅层变为表面覆盖有含磷氧化层的掺磷多晶硅层，同时在N型晶体硅基体正面含有多晶硅绕镀的第一区域和不含多晶硅绕镀的第二区域上均覆盖薄氧化层；/n(2)、用酸去除N型晶体硅基体正面含有多晶硅绕镀的第一区域和不含多晶硅绕镀的第二区域上的薄氧化层；/n(3)、用碱去除N型晶体硅基体正面第一区域的多晶硅绕镀；/n(4)、用酸去除N型晶体硅基体背面的所述含磷氧化层。/n