[发明专利]一种无掩膜去除钝化接触电池多晶硅绕镀的方法

权利要求书

1.一种无掩膜去除钝化接触电池多晶硅绕镀的方法，其特征在于：包括N型晶体硅基体，所述N型晶体硅基体背面为多晶硅层，正面为硼掺杂的发射极，所述发射极分为第一区域和第二区域，所述第一区域含有多晶硅绕镀，所述第二区域不含有多晶硅绕镀；所述第一区域的多晶硅绕镀的去除方法包括如下步骤：

(1)、进行注入和退火处理，以使得N型晶体硅基体背面的多晶硅层变为表面覆盖有含磷氧化层的掺磷多晶硅层，同时在N型晶体硅基体正面含有多晶硅绕镀的第一区域和不含多晶硅绕镀的第二区域上均覆盖薄氧化层；

(2)、用酸去除N型晶体硅基体正面含有多晶硅绕镀的第一区域和不含多晶硅绕镀的第二区域上的薄氧化层；

(3)、双面碱洗，用碱去除N型晶体硅基体正面第一区域的多晶硅绕镀；

(4)、用酸去除N型晶体硅基体背面的所述含磷氧化层。

2.根据权利要求1所述的一种无掩膜去除钝化接触电池多晶硅绕镀的方法，其特征在于，在步骤(2)中，用氢氟酸溶液去除N型晶体硅基体正面含有多晶硅绕镀的第一区域和不含多晶硅绕镀的第二区域上的薄氧化层。

3.根据权利要求1所述的一种无掩膜去除钝化接触电池多晶硅绕镀的方法，其特征在于，在步骤(3)中，用氨水溶液去除N型晶体硅基体正面第一区域的多晶硅绕镀。

4.根据权利要求1所述的一种无掩膜去除钝化接触电池多晶硅绕镀的方法，其特征在于，在步骤(4)中，用氢氟酸溶液去除N型晶体硅基体背面的所述含磷氧化层。

5.根据权利要求2所述的一种无掩膜去除钝化接触电池多晶硅绕镀的方法，其特征在于，在步骤(2)中，用体积比浓度为8％-12％的氢氟酸溶液去除N型晶体硅基体正面含有多晶硅绕镀的第一区域和不含多晶硅绕镀的第二区域上的薄氧化层。

6.根据权利要求3所述的一种无掩膜去除钝化接触电池多晶硅绕镀的方法，其特征在于，在步骤(3)中，用体积比浓度为5％-15％的氨水溶液去除N型晶体硅基体正面第一区域的多晶硅绕镀。

7.根据权利要求4所述的一种无掩膜去除钝化接触电池多晶硅绕镀的方法，其特征在于，在步骤(4)中，用体积比浓度为8％-12％的氢氟酸溶液去除N型晶体硅基体背面的所述含磷氧化层。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的一种无掩膜去除钝化接触电池多晶硅绕镀的方法，其特征在于，硼掺杂的发射极中的硼源采用三溴化硼，扩散的温度为900～1000℃。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的一种无掩膜去除钝化接触电池多晶硅绕镀的方法，其特征在于，在步骤(1)中，掺磷多晶硅层的厚度为60-300nm，含磷氧化层的厚度为3-10nm；N型晶体硅基体正面的薄氧化层厚度为3-10nm。

10.根据权利要求1-7中任一项所述的一种无掩膜去除钝化接触电池多晶硅绕镀的方法，其特征在于，N型晶体硅基体的电阻率为0.3～10Ω·cm,厚度为90～300μm。