[发明专利]TiN薄膜的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910812936.7 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110459468A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 吕佳韦 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/67 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴广志<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201315上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TiN薄膜的刻蚀方法，该TiN薄膜包含氧化层；该刻蚀方法包括：步骤S1前处理步骤，采用第一清洗液，在第一清洗液温度下，清洗第一清洗时间；步骤S2主处理步骤，采用第二清洗液，在第二清洗液温度下，清洗第二清洗时间。在同一清洗腔内，进行完所述步骤S1之后，连续地进行所述步骤S2。据此，根据所述刻蚀方法，能够先将TiN薄膜表面的氧化层去除后，随即进行TiN薄膜，此时即消除了氧化层的影响，TiN薄膜的刻蚀速率并不会因在不同材料间的刻蚀而产生波动，从而能够对刻蚀速率进行监测，并且据此对刻蚀工艺参数进行调节，使得该湿法刻蚀的工艺精度提升，减小对后续工艺的不良影响，最终制造出满足精度要求的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 清洗液 薄膜 清洗 氧化层 刻蚀工艺参数 氧化层去除 主处理步骤 薄膜表面 后续工艺 精度提升 精度要求 湿法刻蚀 前处理 清洗腔 减小 监测 制造 | ||
【主权项】：
1.一种TiN薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述TiN薄膜包含一氧化层；/n所述刻蚀方法包括：/n步骤S1，前处理步骤，采用第一清洗液，在第一清洗液温度下，清洗第一清洗时间；/n步骤S2，主处理步骤，采用第二清洗液，在第二清洗液温度下，清洗第二清洗时间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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