[发明专利]TiN薄膜的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910812936.7 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110459468A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 吕佳韦 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/67 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴广志<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201315上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 清洗液 薄膜 清洗 氧化层 刻蚀工艺参数 氧化层去除 主处理步骤 薄膜表面 后续工艺 精度提升 精度要求 湿法刻蚀 前处理 清洗腔 减小 监测 制造 | ||
1.一种TiN薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述TiN薄膜包含一氧化层；
所述刻蚀方法包括：
步骤S1，前处理步骤，采用第一清洗液，在第一清洗液温度下，清洗第一清洗时间；
步骤S2，主处理步骤，采用第二清洗液，在第二清洗液温度下，清洗第二清洗时间。
2.如权利要求1所述的TiN薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述氧化层为在转运过程中，TiN薄膜外表面TiN吸附氧而生成TiON层。
3.如权利要求2所述的TiN薄膜的刻蚀方法，其特征在于，转运时间大于1小时，所述氧化层至饱和，饱和后所述氧化层的厚度为7～10埃米。
4.如权利要求1所述的TiN薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述第一清洗液为稀释氢氟酸。
5.如权利要求1所述的TiN薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述第一清洗液温度为25～30℃。
6.如权利要求1所述的TiN薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述第一清洗时间60～240s。
7.如权利要求1所述的TiN薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述第一清洗液的流量为1000～2000毫升/分。
8.如权利要求1所述的TiN薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述第二清洗液为氨水双氧水水溶液。
9.如权利要求1所述的TiN薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述第二清洗液温度为40～60℃。
10.如权利要求1所述的TiN薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述第二清洗时间60～120s。
11.如权利要求1所述的TiN薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述第二清洗液的流量为1000～2000毫升/分。
12.如权利要求1至13之一所述的TiN薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法采用原位工艺；
在同一清洗腔内，进行完所述步骤S1之后，连续地进行所述步骤S2。
13.如权利要求12所述的TiN薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S2还包括，
步骤S21，监测TiN薄膜的刻蚀速率；
步骤S22，根据工艺中刻蚀的要求，调节清洗参数。
14.如权利要求13所述的TiN薄膜的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤S22中所述清洗参数包括第二清洗液的清洗时间、清洗液流量、清洗液温度、或清洗液浓度。
15.如权利要求13或14所述的TiN薄膜的刻蚀方法，其特征在于，该方法应用于技术节点28纳米以下、22纳米以下、20纳米以下、或16纳米以下制程。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
