[发明专利]集成电路、MRAM单元和用于制造存储器件的方法

摘要

一些实施例涉及包括磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元的集成电路。集成电路包括半导体衬底和设置在半导体衬底上方的互连结构。互连结构包括以交替的方式彼此堆叠的多个介电层和多个金属层。多个金属层包括下部金属层和设置在下部金属层上方的上部金属层。底部电极设置在下部金属层上方并与下部金属层电接触。磁隧道结(MTJ)设置在底部电极的上表面上方。顶部电极设置在MTJ的上表面上方。侧壁间隔件围绕顶部电极的外围。小于整个顶部电极表面与金属通孔直接电接触，金属通孔连接至上部金属层。本发明的实施例还涉及MRAM单元和用于制造存储器件的方法。