[发明专利]一种多通道高精度SiC功率模块门极漏电测试系统在审
| 申请号： | 201910798529.5 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110398661A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 袁磊 | 申请（专利权）人： | 合肥中恒微半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/02 | 分类号： | G01R31/02 |
| 代理公司： | 合肥律众知识产权代理有限公司 34147 | 代理人： | 赵娟 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多通道高精度SiC功率模块门极漏电测试系统，包括双向连接的多通道扫描矩阵继电器、高精度数字源表，所述多通道扫描矩阵继电器分别通过探针和同轴屏蔽线连接SiC功率模块，所述探针和所述同轴屏蔽线作为SiC功率模块和所述多通道扫描矩阵继电器之间信号传输的载体；所述高精度数字源表用于产生激励信号并对SiC功率模块返回的响应信号进行分析，所述多通道扫描矩阵继电器通过开关切换，实现激励信号和响应信号的加载和传输。相比传统的测试系统，具有自动化程度高、测试范围广、测试精度高、通用性强的特点，为SiC功率模块门极漏电测试提供了更加优质的测试系统。 | ||
| 搜索关键词： | 功率模块 多通道 继电器 测试系统 扫描矩阵 漏电 门极 高精度数字 激励信号 响应信号 屏蔽线 测试 探针 源表 开关切换 双向连接 通用性强 信号传输 传统的 加载 同轴 自动化 传输 返回 分析 | ||
【主权项】：
1.一种多通道高精度SiC功率模块门极漏电测试系统，其特征在于，包括双向连接的多通道扫描矩阵继电器、高精度数字源表，所述多通道扫描矩阵继电器分别通过探针和同轴屏蔽线连接SiC功率模块，所述探针和所述同轴屏蔽线作为SiC功率模块和所述多通道扫描矩阵继电器之间信号传输的载体；所述高精度数字源表用于产生激励信号并对SiC功率模块返回的响应信号进行分析，所述多通道扫描矩阵继电器通过开关切换，实现激励信号和响应信号的加载和传输。
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