[发明专利]一种多通道高精度SiC功率模块门极漏电测试系统在审
| 申请号: | 201910798529.5 | 申请日: | 2019-08-27 |
| 公开(公告)号: | CN110398661A | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
| 发明(设计)人: | 袁磊 | 申请(专利权)人: | 合肥中恒微半导体有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/02 | 分类号: | G01R31/02 |
| 代理公司: | 合肥律众知识产权代理有限公司 34147 | 代理人: | 赵娟 |
| 地址: | 230000 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 功率模块 多通道 继电器 测试系统 扫描矩阵 漏电 门极 高精度数字 激励信号 响应信号 屏蔽线 测试 探针 源表 开关切换 双向连接 通用性强 信号传输 传统的 加载 同轴 自动化 传输 返回 分析 | ||
本发明公开了一种多通道高精度SiC功率模块门极漏电测试系统,包括双向连接的多通道扫描矩阵继电器、高精度数字源表,所述多通道扫描矩阵继电器分别通过探针和同轴屏蔽线连接SiC功率模块,所述探针和所述同轴屏蔽线作为SiC功率模块和所述多通道扫描矩阵继电器之间信号传输的载体;所述高精度数字源表用于产生激励信号并对SiC功率模块返回的响应信号进行分析,所述多通道扫描矩阵继电器通过开关切换,实现激励信号和响应信号的加载和传输。相比传统的测试系统,具有自动化程度高、测试范围广、测试精度高、通用性强的特点,为SiC功率模块门极漏电测试提供了更加优质的测试系统。
技术领域
本发明涉及SiC功率模块测试技术领域,尤其是一种多通道高精度SiC功率模块门极漏电测试系统。
背景技术
SiC功率模块是一种高频驱动、高效率、高功率的功率半导体模块,广泛应用于高功率密度电能转换、高性能电机驱动电机控制、高速电机等领域。目前,SiC功率模块的开关频率在高频阶段为30-100KHz区间,在极短时间内高频次开关,对于SiC功率模块的可靠性带来很大挑战。在实际生产中,需要对SiC功率模块进行门极漏电测试,并以极小测量范围,通常在1nA以下进行表征,以保证SiC功率模块门极长期工作的可靠性。
传统测试系统需要人工操作的环节较多,容易出错且测试时间较长,而且较多采用模块化矩阵开关,成本较高且自动化程度不高。因此,市场对于自动化程度高的SiC功率模块门极漏电测试系统是迫切需要的。
发明内容
针对上述问题,本发明提供一种多通道高精度、自动化程度高的SiC功率模块门极漏电测试系统。
一种多通道高精度SiC功率模块门极漏电测试系统,包括双向连接的多通道扫描矩阵继电器、高精度数字源表,所述多通道扫描矩阵继电器分别通过探针和同轴屏蔽线连接SiC功率模块,所述探针和所述同轴屏蔽线作为SiC功率模块和所述多通道扫描矩阵继电器之间信号传输的载体;
所述高精度数字源表用于产生激励信号并对SiC功率模块返回的响应信号进行分析,所述多通道扫描矩阵继电器通过开关切换,实现激励信号和响应信号的加载和传输。
进一步的,所述高精度数字源表采用可编程数字源表。
进一步的,测试过程中,SiC功率模块通过测试治具保持位置固定。
进一步的,测试系统的工作方式包括以下步骤:
S1,通过计算机向高精度数字源表输入测试代码;
S2,高精度数字源表执行测试代码并输出激励信号;
S3,多通道扫描矩阵继电器加载激励信号并传输至SiC功率模块;
S4,SiC功率模块收到激励信号并返回响应信号至多通道扫描矩阵继电器;
S5,多通道扫描矩阵继电器传输响应信号至高精度数字源表;
S6,高精度数字源表分析响应信号并传输反馈代码至计算机;
S7,计算机根据反馈代码分析测试数据并与预设值进行比较;
S8,根据比较结果确定SiC功率模块门极漏电测试结果。
本发明的有益效果:相比传统的测试系统,具有自动化程度高、测试范围广、测试精度高、通用性强的特点,为SiC功率模块门极漏电测试提供了更加优质的测试系统。
附图说明
图1为多通道高精度SiC功率模块门极漏电测试系统结构框图。
具体实施方式
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