[发明专利]一种复合导电膜的仿真分析方法及其电子设备、存储介质有效
| 申请号： | 201910796830.2 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110728083B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 柴常春;靳文轩;李赟;王平;张楠;白浩 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合导电膜的仿真分析方法及其电子设备、存储介质，该方法包括对高介电常数基板和复合导电膜层进行建模得到高介电常数基板几何模型和复合导电膜层几何模型，为高介电常数基板几何模型和复合导电膜层几何模型设置材料模块和若干物理场接口模块，并为每个物理场接口模块设置边界条件，得到基于高介电常数基板的复合导电膜模型；在基于高介电常数基板的复合导电膜模型上建立有限元网格模型，对有限元网格模型进行计算得到仿真结果。本发明将高介电常数基板和复合导电膜层同步建模，考虑了高介电常数基板和复合导电膜层之间的相互作用，从而评估高介电常数基板上复合导电膜层脱落情况，仿真模型更加接近实际情况，仿真结果准确性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 导电 仿真 分析 方法 及其 电子设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种复合导电膜的仿真分析方法，其特征在于，包括：/n分别对高介电常数基板和复合导电膜层进行建模得到高介电常数基板几何模型和复合导电膜层几何模型；/n分别为所述高介电常数基板几何模型和所述复合导电膜层几何模型设置材料模块，且分别为所述高介电常数基板几何模型和所述复合导电膜层几何模型设置若干个物理场接口模块，并为每个所述物理场接口模块设置边界条件，得到基于高介电常数基板的复合导电膜的模型；/n在所述基于高介电常数基板的复合导电膜的模型上建立有限元网格模型，根据预设求解器对所述有限元网格模型进行计算得到仿真分析结果。/n
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