[发明专利]一种复合导电膜的仿真分析方法及其电子设备、存储介质

说明书

本发明公开了一种复合导电膜的仿真分析方法及其电子设备、存储介质，该方法包括对高介电常数基板和复合导电膜层进行建模得到高介电常数基板几何模型和复合导电膜层几何模型，为高介电常数基板几何模型和复合导电膜层几何模型设置材料模块和若干物理场接口模块，并为每个物理场接口模块设置边界条件，得到基于高介电常数基板的复合导电膜模型；在基于高介电常数基板的复合导电膜模型上建立有限元网格模型，对有限元网格模型进行计算得到仿真结果。本发明将高介电常数基板和复合导电膜层同步建模，考虑了高介电常数基板和复合导电膜层之间的相互作用，从而评估高介电常数基板上复合导电膜层脱落情况，仿真模型更加接近实际情况，仿真结果准确性高。

技术领域

本发明属于星载微波半导体器件仿真计算技术领域，具体涉及一种复合导电膜的仿真分析方法及其电子设备、存储介质。

背景技术

随着星载微波产品不断向着高密度、高集成方向发展，原有基于氧化铝陶瓷基板和HMIC技术的固放制造模式已经无法满足小型化、轻量化的需求，因此，迫切需要找到一种能显著提高大功率固放电路内匹配小型化水平的可靠途径。

传统的仿真分析方法包括有限元分析方法(Finite Element Analysis，简称FEA)，有限元分析方法一般只将复合导电膜层或高介电常数基板单独进行建模和仿真分析。介电常数在20以上的高介电常数基板，可以显著缩小电路外形尺寸和满足高密度排布线条，为满足微波固放产品高密度、高集成的目的，可以设计高介电常数基板来缩小电路体积和重量，在高介电常数基板上实现低频段、大功率的产品设计需求；设计复合导电膜层来解决功率负载问题，基于薄膜工艺的复合高电导率多层薄膜结构，可以解决电流耐受能力低、可靠性差等问题。复合导电膜层在通电后，会产生焦耳热，温度升高会引起复合导电膜和高介电常数基板的应力发生变化。

传统的仿真分析方法没有将高介电常数基板和复合导电膜层进行同步建模，因此没有考虑到复合导电膜层底部和高介电常数基板的相互作用力，所以难以精确模拟在复合导电膜层通电后的物理场效应以及复合导电膜层相对于高介电常数基板的受力情况，因此仿真结果准确性并不高。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种复合导电膜的仿真分析方法及其电子设备、存储介质。

本发明实施例提供了一种复合导电膜的仿真分析方法，该方法包括：

分别对高介电常数基板和复合导电膜层进行建模得到高介电常数基板几何模型和复合导电膜层几何模型；

分别为所述高介电常数基板几何模型和所述复合导电膜层几何模型设置材料模块，且分别为所述高介电常数基板几何模型和所述复合导电膜层几何模型设置若干个物理场接口模块，并为每个所述物理场接口模块设置边界条件，得到基于高介电常数基板的复合导电膜的模型；

在所述基于高介电常数基板的复合导电膜的模型上建立有限元网格模型，根据预设求解器对所述有限元网格模型进行计算得到仿真分析结果。

在本发明的一个实施例中，分别对高介电常数基板和复合导电膜层进行建模得到高介电常数基板几何模型和复合导电膜层几何模型，包括：

根据所述高介电常数基板的内部结构和几何尺寸对高介电常数基板进行三维几何建模得到高介电常数基板几何模型；

在所述高介电常数基板几何模型上对复合导电膜层进行二维几何建模得到复合导电膜层的几何模型。

在本发明的一个实施例中，分别为所述高介电常数基板几何模型和所述复合导电膜层几何模型设置材料模块，包括：

定义若干预设单一材料；

根据所述若干预设单一材料构建一预设结构的多层材料；

根据所述若干预设单一材料为所述高介电常数基板几何模型设置第一材料模块；