[发明专利]一种厚膜功率混合集成电路有效
| 申请号： | 201910793434.4 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110676236B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 夏俊生;李寿胜;肖雷;李波;尤广为;侯育增;李文才 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233030 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种厚膜功率混合集成电路，包括上盖、外壳底座以及位于外壳底座内的陶瓷基板与功率芯片，陶瓷基板底面焊接于外壳底座的内底面；外壳底座内还设有呈梯形台状的铜热沉块，铜热沉块竖直嵌设于陶瓷基板与外壳底座的内底面；铜热沉块的上表面设有上田字形沟槽，上田字形沟槽一侧为芯片背电极引出端焊接区，铜热沉块的下表面设有下田字形沟槽；所述功率芯片焊接于铜热沉块的上表面；铜热沉块的下表面与外壳底座内表面之间焊接有氮化铝过渡片；设置铜热沉块作为散热媒介，对于大功率芯片可有效提升热容量和散热性能；将铜热沉块设置成梯形台状，以满足功率芯片辐射状散热要求，可有效提升热沉的散热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 混合 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种厚膜功率混合集成电路，包括上盖、外壳底座以及位于外壳底座内的陶瓷基板与功率芯片，陶瓷基板底面焊接于外壳底座的内底面，其特征在于，所述外壳底座内还设有呈梯形台状的铜热沉块，铜热沉块竖直嵌设于陶瓷基板与外壳底座的内底面；铜热沉块的上表面设有上田字形沟槽，上田字形沟槽一侧为芯片背电极引出端焊接区，铜热沉块的下表面设有下田字形沟槽；所述功率芯片焊接于铜热沉块的上表面；铜热沉块的下表面与外壳底座内表面之间焊接有氮化铝过渡片。/n
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