[发明专利]一种太阳能电池切割钝化一体化加工方法及其太阳能电池有效
申请号: | 201910792106.2 | 申请日: | 2019-08-26 |
公开(公告)号: | CN111463315B | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 杭州纤纳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/304;H01L31/04 |
代理公司: | 杭州奥创知识产权代理有限公司 33272 | 代理人: | 杨文华 |
地址: | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种太阳能电池切割钝化一体化加工方法,太阳能电池包括基板、前电极层、吸光层和背电极层,在背电极层进行激光结构化切割之前,在背电极层表面设置保护层,然后再透过保护层对背电极层或者对背电极层和吸光层同时进行激光结构化切割得到相应的结构化沟槽,而保护层保留不被激光切割,保护层的材料在激光结构化切割过程中受激光加工所产生的局部高温而部分熔化并渗进下面对应的结构化沟槽中。本发明还公开一种使用该方法制备的太阳能电池。本发明在激光切割加工的同时对刚加工出来的沟槽进行钝化,降低了生产成本,节约了加工时间,对切割后的沟槽边缘进行修复,从而改善加工沟槽的形貌,提高电池稳定性,延长电池寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 切割 钝化 一体化 加工 方法 及其 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的