[发明专利]一种光刻胶图案制备方法和阵列基板制备方法有效

专利信息
申请号: 201910786427.1 申请日: 2019-08-23
公开(公告)号: CN110429029B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 路天;王中来 申请(专利权)人: 合肥维信诺科技有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L21/84;H01L27/12
代理公司: 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 代理人: 范坤坤
地址: 230012 安徽省合*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明实施例公开了一种光刻胶图案的制备方法和阵列基板的制备方法。该光刻胶图案的制备方法包括:提供基底,基底包括曝光区和非曝光区;在基底的曝光区内设置反射结构,反射结构包括反射面,反射面位于反射结构的侧壁上;在基底上形成光刻胶层,光刻胶层覆盖曝光区和非曝光区;对曝光区内的光刻胶层曝光,以使被曝光的光刻胶改性,反射结构的反射面对入射到其上的光线进行反射,以增加靠近基底处发生改性的光刻胶的体积;对光刻胶层显影,以形成光刻胶图案。本发明实施例可以改善底层光刻胶的感光,解决现有曝光过程中光刻胶底层感光较弱而使光刻胶图案存在误差的问题,保证了光刻胶图案的准确性,有助于提升光刻质量。
搜索关键词: 一种 光刻 图案 制备 方法 阵列
【主权项】:
1.一种光刻胶图案制备方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括曝光区和非曝光区;在所述基底的所述曝光区内设置反射结构,所述反射结构包括反射面,所述反射面位于所述反射结构的侧壁上;在所述基底上形成光刻胶层,所述光刻胶层覆盖所述曝光区和所述非曝光区;对所述曝光区内的所述光刻胶层曝光,以使被曝光的光刻胶改性,所述反射结构的反射面对入射到其上的光线进行反射,以增加靠近所述基底处发生改性的光刻胶的体积;对所述光刻胶层显影,以形成光刻胶图案。
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