[发明专利]一种光刻胶图案制备方法和阵列基板制备方法有效

申请号：	201910786427.1	申请日：	2019-08-23
公开（公告）号：	CN110429029B	公开（公告）日：	2022-02-18
发明（设计）人：	路天;王中来	申请（专利权）人：	合肥维信诺科技有限公司
主分类号：	H01L21/027	分类号：	H01L21/027;H01L21/84;H01L27/12
代理公司：	北京远智汇知识产权代理有限公司 11659	代理人：	范坤坤
地址：	230012 安徽省合***	国省代码：	安徽;34
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摘要：
搜索关键词：	一种光刻图案制备方法阵列
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【权利要求书】：

1.一种光刻胶图案制备方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括曝光区和非曝光区；

在所述基底的所述曝光区内设置反射结构，所述反射结构包括反射面，所述反射面位于所述反射结构的侧壁上，所述反射面覆盖所述反射结构的整个侧壁；

在所述基底上形成光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述曝光区和所述非曝光区；

对所述曝光区内的所述光刻胶层曝光，以使被曝光的光刻胶改性，所述反射结构的反射面对入射到其上的光线进行反射，以增加靠近所述基底处发生改性的光刻胶的体积；所述光刻胶层为正性光刻胶层；所述对所述曝光区内的所述光刻胶层进行曝光之后；同一曝光区，所述光刻胶层靠近所述基底处的改性的光刻胶面积，与所述反射结构与所述基底的接触面积之和，大于远离所述基底处光刻胶改性的面积；沿垂直于所述基底，且由所述光刻胶层指向所述基底的方向，所述反射结构的横截面逐渐增大；

对所述光刻胶层显影，以形成光刻胶图案。

2.根据权利要求1所述的光刻胶图案制备方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度大于所述反射结构的高度。

3.根据权利要求2所述的光刻胶图案制备方法，其特征在于，在所述基底的曝光区内设置反射结构，包括：

在所述基底上形成反射层；

采用干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺图案化所述反射层，以形成所述反射结构。

4.根据权利要求1所述的光刻胶图案制备方法，其特征在于，令垂直于所述基底的平面为第一平面；

所述反射面被所述第一平面所截后得到的线为直线；

所述直线与所述基底所在平面的夹角为30°-80°。

5.根据权利要求1所述的光刻胶图案制备方法，其特征在于，令垂直于所述基底的平面为第一平面；

所述反射面被所述第一平面所截后得到的线为曲线。

6.根据权利要求1所述的光刻胶图案制备方法，其特征在于，所述反射结构的材料包括银、铝、钼和铜中的至少一种。

7.一种阵列基板制备方法，其特征在于，采用如权利要求1-6任一项所述的光刻胶图案制备方法。