[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板在审
| 申请号： | 201910781741.0 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN110581142A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 肖军城;田超;管延庆;曹海明 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种阵列基板及其制造方法、显示面板。本发明设计驱动电路的两类薄膜晶体管的沟道层在阵列基板上的正投影至少部分重叠，即两个薄膜晶体管上下堆叠，以此有利于显示面板的窄边框设计；另外，其中一薄膜晶体管的沟道层为非晶态氧化半导体层，能够减少驱动电路内节点漏电，以此有利于提高电路稳定性和降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 驱动电路 显示面板 阵列基板 沟道层 电路稳定性 氧化半导体 窄边框设计 漏电 降低功耗 上下堆叠 非晶态 正投影 制造 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，其驱动电路包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置于所述驱动电路的下拉控制节点和上拉控制节点的漏电路径上，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的沟道层位于所述第一薄膜晶体管的沟道层的上方，且两个沟道层在所述阵列基板上的正投影至少部分重叠。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
