[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其驱动电路包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置于所述驱动电路的下拉控制节点和上拉控制节点的漏电路径上，其特征在于，所述第二薄膜晶体管的沟道层位于所述第一薄膜晶体管的沟道层的上方，且两个沟道层在所述阵列基板上的正投影至少部分重叠。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的沟道层的主要材料为多晶硅，所述第二薄膜晶体管的沟道层的主要材料为非晶态氧化半导体。

3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括第一导电部、第二导电部、第三导电部、第一介电层和第二介电层，所述第一导电部与第一薄膜晶体管的栅极位于同一层且间隔设置，所述第一介电层覆盖所述第一导电部和第一薄膜晶体管的栅极，所述第一介电层开设有暴露所述第一导电部上表面的第一过孔，所述第二导电部的一部分位于第一过孔中并与所述第一导电部接触，所述第二介电层覆盖所述第一介电层且开设有暴露所述第二导电部上表面的第二过孔，所述第三导电部的一部分位于所述第二过孔中并与所述第二导电部接触，所述第三导电部与所述第二薄膜晶体管的漏极接触。

4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第三导电部的另一部分与所述第二薄膜晶体管的栅极位于同一层且间隔设置。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电部和所述第一薄膜晶体管的栅极的主要材料相同，和/或，所述第三导电部和所述第二薄膜晶体管的栅极的主要材料相同。

6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括栅极绝缘层和钝化层，所述栅极绝缘层覆盖第二薄膜晶体管的栅极和第三导电部，且开设有暴露所述第三导电部上表面的第三过孔，所述第二薄膜晶体管的漏极的一部分位于第三过孔中并与所述第三导电部接触，所述第二薄膜晶体管的源极、漏极和沟道层均位于所述栅极绝缘层上，且源极和漏极分别与沟道层的两端接触，所述钝化层覆盖设有所述第二薄膜晶体管的漏极、源极和沟道层的栅极绝缘层。

7.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如上述权利要求1～6任一项所述的阵列基板。

8.一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板的驱动电路包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置于所述驱动电路的下拉控制节点和上拉控制节点的漏电路径上，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一基板；

在所述基板上形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，所述第二薄膜晶体管的沟道层位于所述第一薄膜晶体管的沟道层的上方，且两个沟道层在所述基板上的正投影至少部分重叠；

形成覆盖所述第二薄膜晶体管的钝化层。