[发明专利]基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法

摘要

一种基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，属于太阳电池微电子技术领域。本发明针对现有太阳电池由于空间带电粒子的辐照会产生辐照缺陷，进而造成太阳电池I‑V特性退化的问题。它根据原单晶Si太阳电池的结构参数，确定离子的欲注入位置，并根据欲注入位置模拟确定离子的能量和射程；然后模拟离子注入过程中的目标I‑V变化曲线，当目标I‑V变化曲线的变化量小于原单晶Si太阳电池I‑V变化曲线的10％时，记录离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原单晶Si太阳电池进行离子注入并进行退火处理，实现对原单晶Si太阳电池的抗位移辐照加固。本发明用于单晶Si太阳电池的加固。

主权项

1.一种基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，其特征在于，它包括以下步骤：/n步骤一：根据原单晶Si太阳电池的结构参数，确定离子的欲注入位置，并根据欲注入位置模拟确定离子的能量和射程；/n步骤二：将所述离子注入原单晶Si太阳电池，模拟离子注入过程中的目标I-V变化曲线，当目标I-V变化曲线的变化量小于原单晶Si太阳电池I-V变化曲线的10％时，记录离子注入量；/n步骤三：根据离子的能量和离子注入量，计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；/n步骤四：设置离子注入机，并通过离子注入机对原单晶Si太阳电池进行离子注入；/n步骤五：对完成离子注入的单晶Si太阳电池进行退火处理，实现对原单晶Si太阳电池的抗位移辐照加固。/n