[发明专利]基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法

权利要求书

1.一种基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，其特征在于，它包括以下步骤：

步骤一：根据原单晶Si太阳电池的结构参数，确定离子的欲注入位置，并根据欲注入位置模拟确定离子的能量和射程；

步骤二：将所述离子注入原单晶Si太阳电池，模拟离子注入过程中的目标I-V变化曲线，当目标I-V变化曲线的变化量小于原单晶Si太阳电池I-V变化曲线的10％时，记录离子注入量；

步骤三：根据离子的能量和离子注入量，计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；

步骤四：设置离子注入机，并通过离子注入机对原单晶Si太阳电池进行离子注入；

步骤五：对完成离子注入的单晶Si太阳电池进行退火处理，实现对原单晶Si太阳电池的抗位移辐照加固；

所述离子的欲注入位置包括离子的注入深度及方位，所述注入深度包括基区衬底内距离有源区界面10nm-20nm的厚度内；

所述离子为硅离子。

2.根据权利要求1所述的基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，其特征在于，所述原单晶Si太阳电池的结构参数包括原单晶Si太阳电池各部分的材料、密度、掺杂浓度及厚度。

3.根据权利要求1所述的基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，其特征在于，所述离子源电压V的计算方法为：

式中E为离子的能量，C为离子电荷量。

4.根据权利要求3所述的基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，其特征在于，所述离子束电流I和离子注入时间t的确定方法为：

式中Φ为离子注入量，q为单位电荷电量。

5.根据权利要求4所述的基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，其特征在于，所述离子注入时间t大于5分钟。

6.根据权利要求5所述的基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，其特征在于，所述步骤五中对完成离子注入的单晶Si太阳电池进行退火处理的退火温度为300℃-400℃。

7.根据权利要求6所述的基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，其特征在于，所述步骤五中对完成离子注入的单晶Si太阳电池进行退火处理的退火时间为0.5分钟到1分钟。

8.根据权利要求1所述的基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，其特征在于，步骤一中确定离子的能量和射程通过SRIM软件模拟实现。

9.根据权利要求1所述的基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，其特征在于，步骤二中的模拟过程通过TCAD软件模拟实现。