[发明专利]一种高光效紫光LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201910768098.8 | 申请日： | 2019-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN110459661A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/38 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡枫;李素兰<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 528200广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高光效紫光LED芯片，其包括衬底；设于衬底表面的外延层，所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第二半导体层的至少一层出光膜层；设于所述出光膜层上的透明导电层；设于所述第一半导体层的第一电极；和设于所述透明导电层的第二电极；其中，所述出光膜层为一透明层，其折射率为1.9～2.6；其中，所述出光膜层为一透明层，其折射率为1.9～2.6；所述出光膜层设有孔道，所述透明导电层通过所述孔道与所述第二半导体层连接。本发明在紫光LED芯片的外延层与透明导电层之间设置了出光膜层，且出光膜层的折射率与GaN层相近，减少了紫光的反射，增加了紫光的透光率，提升了LED芯片的光效，采用本发明的LED芯片结构，紫光的透光率可达到90％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 光膜层 半导体层 透明导电层 外延层 折射率 紫光 紫光LED 透光率 透明层 孔道 芯片 衬底表面 第二电极 第一电极 高光效 衬底 反射 光效 源层 | ||
【主权项】：
1.一种高光效紫光LED芯片，其特征在于，包括衬底；设于衬底表面的外延层，所述外延层依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；/n设于所述第二半导体层的至少一层出光膜层；设于所述出光膜层上的透明导电层；设于所述第一半导体层的第一电极；和设于所述透明导电层的第二电极；/n其中，所述出光膜层为一透明层，其折射率为1.9～2.6；所述出光膜层设有孔道，所述透明导电层通过所述孔道与所述第二半导体层连接。/n
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