[发明专利]一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管有效

专利信息
申请号: 201910764540.X 申请日: 2019-08-19
公开(公告)号: CN112397661B 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H10K50/15 分类号: H10K50/15;H10K50/115;C01G53/04;C01G39/06;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘芙蓉
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管,所述纳米材料具有核壳结构,所述纳米材料的核材料包括NiO纳米颗粒,所述纳米材料的壳材料包括MoS2纳米片。NiO纳米颗粒作为核材料,生长于NiO纳米颗粒表面的超薄MoS2纳米片作为壳材料。MoS2壳可以保护活性相对较高的NiO核,减少NiO表面缺陷,从而抑制了表面缺陷对载流子的俘获;MoS2纳米片的生长可以使NiO核更好的分散在溶剂中,提高分散性。而相比于MoS2,NiO具有更好的空穴传输性能,可以保证空穴的快速转移。所述核壳结构的纳米材料作为空穴传输材料,MoS2与NiO协同作用,提高空穴传输效率,从而提高了量子点发光二极管发光效率。
搜索关键词: 一种 纳米 材料 及其 制备 方法 量子 发光二极管
【主权项】:
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