[发明专利]一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管

说明书

本发明公开一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管，所述纳米材料具有核壳结构，所述纳米材料的核材料包括NiO纳米颗粒，所述纳米材料的壳材料包括MoS₂纳米片。NiO纳米颗粒作为核材料，生长于NiO纳米颗粒表面的超薄MoS₂纳米片作为壳材料。MoS₂壳可以保护活性相对较高的NiO核，减少NiO表面缺陷，从而抑制了表面缺陷对载流子的俘获；MoS₂纳米片的生长可以使NiO核更好的分散在溶剂中，提高分散性。而相比于MoS₂，NiO具有更好的空穴传输性能，可以保证空穴的快速转移。所述核壳结构的纳米材料作为空穴传输材料，MoS₂与NiO协同作用，提高空穴传输效率，从而提高了量子点发光二极管发光效率。

技术领域

本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管。

背景技术

半导体量子点具有量子尺寸效应，人们通过调控量子点的大小来实现所需要的特定波长的发光，CdSe QDs的发光波长调谐范围可以从蓝光一直到红光。在传统的无机电致发光器件中电子和空穴分别从阴极和阳极注入，然后在发光层复合形成激子发光。宽禁带半导体中导带电子可以在高电场下加速获得足够高的能量撞击QDs使其发光。

近年来，无机半导体作为空穴传输层成为比较热的研究内容。纳米NiO作为一种p型半导体材料，因其具备可调控的带隙(带隙为3.6eV-4.0eV，HOMO能级为-5.4eV--5.0eV，LUMO能级为-1.6eV)，在紫外光区域、可见光区域以及近红外光区域具备较高的透光性能，优异的化学稳定性和独特的光、电、磁性质等优势广泛应用于电致变色器件，有机发光二极管，气敏传感器，染料敏化太阳能电池和p-n异质结。MoS₂作为二维过渡金属硫化物层状纳米材料中最具有代表性的材料，因其独特的微观结构、可调控的能带隙(1.13eV～1.87eV)和较高的载流子迁移率，既能弥补石墨烯等零带隙的不足，也能克服层状载流子迁移率低的缺点，是理想的空穴传输材料。二硫化钼作为一种过渡金属材料，因其独特的微观结构、可调控的能带隙和较高的载流子迁移率而广泛引起国内外研究人员的注意。但由氧化镍和二硫化钼组成的复合材料却鲜有人报道。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管，旨在解决现有量子点发光二极管中NiO空穴传输层效率不高的问题。

本发明的技术方案如下：

一种纳米材料，所述纳米材料具有核壳结构，其中，所述纳米材料的核材料包括NiO纳米颗粒，所述纳米材料的壳材料包括MoS₂纳米片。

一种纳米材料的制备方法，其中，包括步骤：

提供包括镍盐与碱的混合溶液，经反应得到NiO纳米颗粒；

将所述NiO纳米颗粒与硫代钼酸盐混合，经水热反应，在NiO纳米颗粒表面形成MoS₂纳米片，得到核材料包括NiO纳米颗粒、壳材料包括MoS₂纳米片的核壳结构纳米材料。

一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阳极和量子点发光层之间的空穴传输层，其中，所述空穴传输层材料为本发明所述的纳米材料；和/或所述空穴传输层材料为本发明所述的制备方法制备得到的纳米材料。