[发明专利]一种二维二硫化钼薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910764094.2 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110344000A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 杨培志;马春阳;杨雯;莫镜辉;李赛;杨德威 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘潇 |
| 地址： | 650500 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种二维二硫化钼薄膜的制备方法，属于无机材料制备技术领域。本发明的衬底的材质为蓝宝石(Al2O3)或铝酸镧(LaAlO3)，蓝宝石和铝酸镧中的Al原子与S原子之间存在偶极子相互作用，使MoS2层排列得更加整齐；相比SiO2/Si上的MoS2薄膜结晶质量更好，更易形成二维薄膜。此外，蓝宝石(Al2O3)原子更平坦，阶跃高度为0.22nm，可保证连续的二硫化钼薄膜生长。本发明通过溅射的本底真空度、工作压强、功率和溅射时间参数，及对二硫化钼薄膜进行光热退火，保证了制备的二硫化钼(MoS2)薄膜为二维的。 | ||
| 搜索关键词： | 二硫化钼薄膜 蓝宝石 二维 制备 铝酸镧 溅射 制备技术领域 退火 本底真空度 薄膜结晶 二硫化钼 二维薄膜 工作压强 时间参数 无机材料 偶极子 光热 衬底 阶跃 薄膜 平坦 整齐 保证 生长 | ||
【主权项】：
1.一种二维二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：对衬底进行预处理，得到预处理衬底；所述衬底的材质为蓝宝石或铝酸镧；在所述预处理衬底上溅射二硫化钼，得到二硫化钼薄膜；将所述二硫化钼薄膜进行光热退火，得到二维二硫化钼薄膜；所述溅射的参数包括：本底真空度为5×10‑5Pa，工作压强为1～5Pa，功率为50～100W，时间为50s～2min。
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