[发明专利]一种二维二硫化钼薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910764094.2 | 申请日： | 2019-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN110344000A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 杨培志;马春阳;杨雯;莫镜辉;李赛;杨德威 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34;C23C14/58 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘潇 |
| 地址： | 650500 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二硫化钼薄膜 蓝宝石 二维 制备 铝酸镧 溅射 制备技术领域 退火 本底真空度 薄膜结晶 二硫化钼 二维薄膜 工作压强 时间参数 无机材料 偶极子 光热 衬底 阶跃 薄膜 平坦 整齐 保证 生长 | ||
1.一种二维二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
对衬底进行预处理，得到预处理衬底；所述衬底的材质为蓝宝石或铝酸镧；
在所述预处理衬底上溅射二硫化钼，得到二硫化钼薄膜；
将所述二硫化钼薄膜进行光热退火，得到二维二硫化钼薄膜；
所述溅射的参数包括：本底真空度为5×10-5Pa，工作压强为1～5Pa，功率为50～100W，时间为50s～2min。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预处理包括以下步骤：
将所述衬底依次用丙酮、无水乙醇、去离子水、RAC溶液、去离子水和无水乙醇依次超声清洗，并用氮气吹干；
所述RAC溶液为质量浓度为25％氨水、质量浓度为30％的过氧化氢、去离子水按照体积比1：1：5配置的溶液。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述预处理衬底的温度为20～250℃。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述溅射的方式为直流溅射。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述溅射的靶材为纯度大于99.999％的MoS2靶材。
6.根据权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于，所述溅射的靶材与预处理衬底之间的距离为8cm。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光热退火的温度为600～800℃，时间为5min。
8.根据权利要求1或7所述的制备方法，其特征在于，升温至所述光热退火的温度的升温速率为50℃/s。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光热退火在保护气氛下进行。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述保护气氛的流量为0.8～1.2L/min。
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