[发明专利]一种利用等离子体活化直接键合氧化锆和三氧化二铝的方法有效
| 申请号： | 201910761248.2 | 申请日： | 2019-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN110473778B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王晨曦;许继开;张闰勃;黄博妍;田艳红 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/02;H01L21/324;H01L21/263 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种利用等离子体活化直接键合氧化锆和三氧化二铝的方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、采用O |
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| 搜索关键词： | 一种 利用 等离子体 活化 直接 氧化锆 氧化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用等离子体活化直接键合氧化锆和三氧化二铝的方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：/n步骤一、采用O2/NH3/H2O等离子体对待键合的ZrO2和Al2O3晶片进行活化；/n步骤二、将活化的ZrO2和Al2O3表面置于大气环境下相互贴合形成预键合，并将预键合的ZrO2/Al2O3样品在大气下静置；/n步骤三、将静置后的ZrO2/Al2O3预键合样品进行退火处理。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
