[发明专利]一种利用等离子体活化直接键合氧化锆和三氧化二铝的方法

权利要求书

1.一种利用等离子体活化直接键合氧化锆和三氧化二铝的方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：

步骤一、采用O₂/NH₃/H₂O等离子体对待键合的ZrO₂和Al₂O₃晶片进行活化，所述O₂/NH₃/H₂O等离子体的体积比为5~30：1~3：5~10；

步骤二、将活化的ZrO₂和Al₂O₃表面置于大气环境下相互贴合形成预键合，并将预键合的ZrO₂/Al₂O₃样品在大气下静置；

步骤三、将静置后的ZrO₂/Al₂O₃预键合样品进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的利用等离子体活化直接键合氧化锆和三氧化二铝的方法，其特征在于所述O₂/NH₃/H₂O等离子体由高压瓶内的纯O₂和加热NH₃·H₂O溶液逸出的NH₃和H₂O导入等离子体装置中而产生。

3.根据权利要求2所述的利用等离子体活化直接键合氧化锆和三氧化二铝的方法，其特征在于所述加热温度为40~100℃。

4.根据权利要求1所述的利用等离子体活化直接键合氧化锆和三氧化二铝的方法，其特征在于所述活化时间为1~20min。

5.根据权利要求1所述的利用等离子体活化直接键合氧化锆和三氧化二铝的方法，其特征在于所述大气环境的湿度为20~80%。

6.根据权利要求1所述的利用等离子体活化直接键合氧化锆和三氧化二铝的方法，其特征在于所述静置时间为1~72h。

7.根据权利要求1所述的利用等离子体活化直接键合氧化锆和三氧化二铝的方法，其特征在于所述退火温度为100~700℃。

8.根据权利要求1所述的利用等离子体活化直接键合氧化锆和三氧化二铝的方法，其特征在于所述退火时间为1~72h。