[发明专利]一种强配体控制下在基底上生长超细三维铂纳米线阵列及其方法有效
| 申请号： | 201910747348.X | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN111370716B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 陈虹宇;王亚雯;李红艳 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | H01M4/92 | 分类号： | H01M4/92;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 吴频梅 |
| 地址： | 211816 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在室温条件下通过强配体控制直接在基底上生长三维铂纳米线阵列的技术，得到的铂纳米线阵列分布均匀，可重复性高，长度，疏密度及表面粗糙度均可控，最后长过铂线的导电基底可直接作为工作电极用于甲醇燃料电池测试，相比于商业铂碳具有较高的活性及稳定性。本发明所需原料简单易得，操作过程简便、安全，成本低，催化活性较高，稳定性较好，可以适于工业规模化生产，具有较强的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 强配体 控制 基底 生长 三维 纳米 阵列 及其 方法 | ||
【主权项】：
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