[发明专利]一种强配体控制下在基底上生长超细三维铂纳米线阵列及其方法有效
| 申请号： | 201910747348.X | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN111370716B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 陈虹宇;王亚雯;李红艳 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | H01M4/92 | 分类号： | H01M4/92;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 吴频梅 |
| 地址： | 211816 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 强配体 控制 基底 生长 三维 纳米 阵列 及其 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在强配体控制下在基底上生长超细三维铂纳米线阵列的方法，包括下步骤：
（1）对基底进行表面氨基化处理，即将基底泡在APTES和醋酸的混合溶液中；
（2）将步骤（1）中基底导电玻璃取出，洗掉多余的APTES溶液，再泡在3~5nm铂颗粒溶液中；
（3）将步骤（2）中基底取出，洗掉多余的铂种子，将其放在1.7mM氯铂酸，110μM MBIA,3.33mM硼氢化钠的混合溶液中进行生长，即可得到三维铂纳米线阵列。
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