[发明专利]一种大功率倒装LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201910746741.7 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110491981A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 陆绍坚;何英乔 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡枫;李素兰<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大功率倒装LED芯片及其制作方法，所述芯片包括衬底、外延层、Ag反射层、绝缘层、Al层、第一电极和第二电极，所述绝缘层和Al层形成ODR结构。本发明利用Al层来填补Ag反射层不能反射区域，增加芯片整体的反射效率，提高芯片的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 芯片 反射层 倒装LED芯片 出光效率 第二电极 第一电极 反射区域 反射效率 外延层 衬底 填补 制作 | ||
【主权项】：
1.一种大功率倒装LED芯片，其特征在于，包括衬底、外延层、Ag反射层、绝缘层、Al层、第一电极和第二电极，所述绝缘层和Al层形成ODR结构；/n所述外延层设有第一孔洞，所述Ag反射层设置在外延层上且设有第二孔洞，所述第二孔洞与第一孔洞连通，所述第二孔洞的直径大于第一孔洞的直径；/n所述绝缘层设置在Ag反射层上并填充在第二孔洞和第一孔洞内，所述绝缘层设有第三孔洞和第四孔洞，所述第三孔洞位于第一孔洞和第二孔洞内，且第三孔洞的直径小于第一孔洞的直径；/n所述Al层设置在绝缘层上，且所述Al层位于第三孔洞和Ag反射层之间的区域；/n所述第一电极设置在第三孔洞内，所述第二电极设置在第四孔洞内。/n
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