[发明专利]一种大功率倒装LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201910746741.7 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN110491981A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 陆绍坚;何英乔 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡枫;李素兰<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层 芯片 反射层 倒装LED芯片 出光效率 第二电极 第一电极 反射区域 反射效率 外延层 衬底 填补 制作 | ||
1.一种大功率倒装LED芯片，其特征在于，包括衬底、外延层、Ag反射层、绝缘层、Al层、第一电极和第二电极，所述绝缘层和Al层形成ODR结构；
所述外延层设有第一孔洞，所述Ag反射层设置在外延层上且设有第二孔洞，所述第二孔洞与第一孔洞连通，所述第二孔洞的直径大于第一孔洞的直径；
所述绝缘层设置在Ag反射层上并填充在第二孔洞和第一孔洞内，所述绝缘层设有第三孔洞和第四孔洞，所述第三孔洞位于第一孔洞和第二孔洞内，且第三孔洞的直径小于第一孔洞的直径；
所述Al层设置在绝缘层上，且所述Al层位于第三孔洞和Ag反射层之间的区域；
所述第一电极设置在第三孔洞内，所述第二电极设置在第四孔洞内。
2.如权利要求1所述的大功率倒装LED芯片，其特征在于，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一孔洞贯穿所述第二半导体层和有源层并延伸至第一半导体层。
3.如权利要求2所述的大功率倒装LED芯片，其特征在于，所述第二孔洞贯穿所述Ag反射层，所述第二孔洞的直径比第一孔洞的直径大5％～10％。
4.如权利要求1所述的大功率倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘层的厚度＞Ag反射层的厚度＞Al层的厚度。
5.如权利要求4所述的大功率倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘层的厚度比Ag反射层的厚度大3～5倍，所述Ag反射层的厚度比Al层的厚度大3％～10％。
6.如权利要求1所述的大功率倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘层的厚度为4000～6000埃，所述Ag反射层的厚度为1000～2000埃，所述Al层的厚度为1000～2000埃。
7.如权利要求1所述的大功率倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘层由SiO2、Si3N4、SiOxNy中的一种或几种制成，所述Al层由铝制成。
8.如权利要求1所述的大功率倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘层由SiO2制成，所述Al层由铝制成。
9.如权利要求1所述的大功率倒装LED芯片，其特征在于，所述第一电极从第三孔洞延伸到Al层和绝缘层上，第一电极和第二电极之间设有钝化层，两者相互绝缘。
10.一种如权利要求1～9任一项所述的大功率倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
一、在衬底上形成外延层，对外延层进行刻蚀，形成第一孔洞；
二、在所述第二半导体层上形成Ag反射层，对Ag反射层进行刻蚀，形成第二孔洞；
三、在所述Ag反射层上、第二孔洞和第一孔洞内形成绝缘层，对所述绝缘层进行刻蚀，形成第三孔洞和第四孔洞；
四、在第三孔洞和Ag反射层之间区域的绝缘层上形成Al层；
五、在第三孔洞内形成第一电极，在第四孔洞内形成第二电极。
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