[发明专利]基于磁热效应的磁场测量方法、磁场传感器及制备方法有效
| 申请号： | 201910739806.5 | 申请日： | 2019-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN110456288B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 杨庆;罗曼丹;何彦霄;刘仁远 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 武君 |
| 地址： | 400030 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于磁热效应的磁场测量方法，主要在于利用四氧化三铁纳米粒子在交变磁场中吸收磁能而产生热量，改变波导的总的有效折射率，使得所述基于磁热效应的硅基微环磁场传感器的输出谐振峰发生漂移，实现磁场测量，该方法具有提高了磁场测量范围的优点，同时提出了基于该方法的磁场传感器，利用其高品质因数与磁性纳米粒子的磁热效应的优势，减小了传统磁场传感器的尺寸，并对磁场传感器的集成化、智能化、微型化打下了坚实的基础，同时结构简单，通过优化传感器尺寸设计以及磁性纳米粒子的性质，可以改变传感器的灵敏度，灵活适用于各种场景之下，同时提供了基于磁场传感器的制备方法，具有提高了制造效率的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 热效应 磁场 测量方法 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.基于磁热效应的磁场测量方法，其特征在于：/n所述测量方法具体为在待测磁场中放置光波导，在光波导的两侧填充四氧化三铁纳米粒子，并获取四氧化三铁纳米粒子的初始温度，在光波导的输入端施加光源并实时监控四氧化三铁纳米粒子的温度变化，并按照下式得到磁场强度大小：/n
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