[发明专利]一种以柯恩达效应为原理的GaN防气体冲击装置

摘要

一种以柯恩达效应为原理的GaN防气体冲击装置，包括固定板，所述固定板的上表面固定安装有两个相对称的固定架，两个相对称的固定架之间活动安装有转筒，转筒的外表面开设有风槽，所述转筒的两端均固定安装有卡块。通过转筒、风槽、卡块、连接块与转轴的配合使用，可以有效的将激光在剥离GaN的过程中，利用柯恩达效应原理，将气流都分散到转筒的表面，保证了激光剥离工艺过程中产生的气体不会直接冲击GaN薄膜，对GaN薄膜具有一定的保护作用，同时，由于气流被分散到转筒的外表面，可以有效的保证由激光剥离工艺过程中产生的高温，给予降温，保证了GaN薄膜的使用寿命。

主权项

1.一种以柯恩达效应为原理的GaN防气体冲击装置，包括固定板(1)，其特征在于：所述固定板(1)的上表面固定安装有两个相对称的固定架(2)，两个相对称的固定架(2)之间活动安装有转筒(3)，转筒(3)的外表面开设有风槽(4)，所述转筒(3)的两端均固定安装有卡块(5)；所述转筒(3)的内部通过连接块(6)固定安装有转轴(7)，转轴(7)两端的内部活动安装有固定杆(8)，固定杆(8)的上端固定安装有连接板(9)，连接板(9)的中部活动安装有转盘(10)，转盘(10)的中心轴固定安装有转杆(11)，转杆(11)的下端搭接有活动框(12)，活动框(12)的两侧固定安装有两个相对称的移动条(13)，所述移动条(13)远离活动框(12)的一端搭接有两个相对称的限位柱(14)，限位柱(14)的上端固定与连接板(9)的上表面固定安装；所述移动条(13)的下表面固定安装有连接杆(15)，连接杆(15)的下端螺纹连接有激光器(16)。