[发明专利]一种以柯恩达效应为原理的GaN防气体冲击装置

说明书

一种以柯恩达效应为原理的GaN防气体冲击装置，包括固定板，所述固定板的上表面固定安装有两个相对称的固定架，两个相对称的固定架之间活动安装有转筒，转筒的外表面开设有风槽，所述转筒的两端均固定安装有卡块。通过转筒、风槽、卡块、连接块与转轴的配合使用，可以有效的将激光在剥离GaN的过程中，利用柯恩达效应原理，将气流都分散到转筒的表面，保证了激光剥离工艺过程中产生的气体不会直接冲击GaN薄膜，对GaN薄膜具有一定的保护作用，同时，由于气流被分散到转筒的外表面，可以有效的保证由激光剥离工艺过程中产生的高温，给予降温，保证了GaN薄膜的使用寿命。

技术领域

本发明涉及柔性电子技术领域，具体为一种以柯恩达效应为原理的GaN防气体冲击装置。

背景技术

激光剥离工艺氮化镓(GaN)是利用一束波长小于360nm的激光，是利用一束波长小于360nm的激光，从Al₂O₃衬底上没有外延上GaN薄膜一侧入射，由于激光光子能量介于GaN和Al₂O₃禁带宽度之间，因为Al₂O₃衬底对激光吸收系数很小，激光可以穿过Al₂O₃衬底而没有太多能量的损失就能照射到GaN层，因为GaN材料对激光的吸收系数很大，当激光穿过Al₂O₃衬底入射到Al₂O₃衬底对激光吸收系数很小，激光可以穿过Al₂O₃衬底而没有太多能量的损失就能照射到GaN层，因为GaN材料对激光的吸收系数很大，当激光穿过Al₂O₃衬底入射到Al₂O₃衬底和GaN的界面时，界面处一层厚度很薄的GaN材料会对激光有一个极强的吸收，将吸收的激光能量转换成GaN材料的热能，使得其温度急速升高，迅速分解为Ga金属和N2，从而实现GaN薄膜与Al2O3衬底的分离，从而制备出垂直结构的GaN薄膜。

目前，激光剥离工艺氮化镓的方法有两种，分为化学剥离与物理剥离，化学剥离则是Al₂O₃衬底上外延GaN之前先外延生长上一层牺牲层，然后再继续外延GaN-LED器件结构，利用牺牲层可以和化学药品反应的特点，使用化学腐蚀的方式将牺牲层腐蚀干净，则可以实现GaN薄膜和外延Al₂O₃衬底的分离，但是这种方式，虽然分离的相对较为干净，但是剥离效率不要高，且需要与牺牲层反应，比较浪费，剥离的成本较高，相比与化学剥离，激光剥离工艺是一种物理剥离的方式，并且具有剥离速度离速度快，剥离效率高，剥离成本低，并且不受化学药品浓度影响等优点，但是激光剥离工艺过程中产生的气体冲击以及高温冲击则可能对GaN薄膜造成一定的损伤，也存在着比较浪费的现象。

发明内容

(一)技术方案

为实现上述使用物理剥离时，可保护柔性电路板不受损伤的目的，本发明提供如下技术方案：一种以柯恩达效应为原理的GaN防气体冲击装置，包括固定板，所述固定板的上表面固定安装有两个相对称的固定架，两个相对称的固定架之间活动安装有转筒，转筒的外表面开设有风槽，所述转筒的两端均固定安装有卡块。

所述转筒的内部通过连接块固定安装有转轴，转轴两端的内部活动安装有固定杆，固定杆的上端固定安装有连接板，连接板的中部活动安装有转盘，转盘的中心轴固定安装有转杆，转杆的下端搭接有活动框，活动框的两侧固定安装有两个相对称的移动条，所述移动条远离活动框的一端搭接有两个相对称的限位柱，限位柱的上端固定与连接板的上表面固定安装。

所述移动条的下表面固定安装有连接杆，连接杆的下端螺纹连接有激光器。

进一步的，两个相对称的所述固定架之间通过转轴与转筒活动安装，固定架靠近转筒的一端插接在转轴内，主要是为了方便转筒在受到气体冲击的转动。