[发明专利]一种基于硅基MEMS微环的低功耗全光二极管有效
| 申请号： | 201910711904.8 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110488422B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 刘力;许灵欢;陈苗苗 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（武汉） |
| 主分类号： | G02B6/27 | 分类号： | G02B6/27;G02B6/293;G02B6/35 |
| 代理公司： | 武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238 | 代理人： | 万文广 |
| 地址： | 430000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于硅基MEMS微环的低功耗全光二极管，包括：硅基平台、第一微环和第二微环、第一波导和第二波导；所述第一波导上有第一端口，第二波导上有第二端口；所述硅基平台中间有两块大小相等且对称的凹槽；所述两个微环半径相同，部分悬空在凹槽旁边，通过微环与波导不同的间距实现不同的耦合效率；所述全光二极管利用MEMS微环中的光力效应能够实现光信号正反向的非互易传输，通过输入相应的谐振光功率，能够实现对MEMS微环的调谐。本发明的有益效果是：本发明提供的一种高隔离度、全光调谐并且尺寸紧凑的全光二极管，在激光器、光纤通信系统等领域具有很高的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mems 功耗 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种基于硅基MEMS微环的低功耗全光二极管，其特征在于：所述全光二极管包括硅基平台、第一微环和第二微环、第一波导和第二波导；所述硅基平台上有两个凹槽；所述第一微环与第二微环分别部分悬空置于凹槽同侧；所述第一波导为直波导，置于硅基平台之上且与第一微环和第二微环同一侧相邻；所述第二波导中间弯折180°，弯折部分置于两个凹槽之间且一端悬空在凹槽之上并与第二微环相邻；所述第一微环与第一波导之间、第二微环与第一波导之间以及第二微环与第二波导之间会发生耦合；所述第一波导上有第一端口，第二波导上有第二端口。/n
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