[发明专利]一种基于硅基MEMS微环的低功耗全光二极管有效
| 申请号： | 201910711904.8 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN110488422B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 刘力;许灵欢;陈苗苗 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（武汉） |
| 主分类号： | G02B6/27 | 分类号： | G02B6/27;G02B6/293;G02B6/35 |
| 代理公司： | 武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238 | 代理人： | 万文广 |
| 地址： | 430000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mems 功耗 二极管 | ||
1.一种基于硅基MEMS微环的低功耗全光二极管，其特征在于：所述全光二极管包括硅基平台、第一微环和第二微环、第一波导和第二波导；所述硅基平台上有两个凹槽；所述第一微环与第二微环分别部分悬空置于凹槽同侧；所述第一波导为直波导，置于硅基平台之上且与第一微环和第二微环同一侧相邻；所述第二波导中间弯折180°，弯折部分置于两个凹槽之间且一端悬空在凹槽之上并与第二微环相邻；所述第一微环与第一波导之间、第二微环与第一波导之间以及第二微环与第二波导之间会发生耦合；所述第一波导上有第一端口，第二波导上有第二端口；所述第一微环为全通型微环；所述第二微环为上下载型微环；所述第一微环和第二微环的半径均为30μm；所述第一微环和第二微环部分悬空的最远距离为11.2μm，悬空部分与对应的凹槽的底面的间距为160nm。
2.如权利要求1所述的一种基于硅基MEMS微环的低功耗全光二极管，其特征在于：所述硅基平台的形状是长方体，材料为二氧化硅。
3.如权利要求1所述的一种基于硅基MEMS微环的低功耗全光二极管，其特征在于：所述硅基平台表面的两个凹槽大小相等且对称。
4.如权利要求1所述的一种基于硅基MEMS微环的低功耗全光二极管，其特征在于：所述第一微环和第二微环的制作材料是硅。
5.如权利要求1所述的一种基于硅基MEMS微环的低功耗全光二极管，其特征在于：所述第一端口为光信号正向输入端口和反向输出端口；所述第二端口为光信号正向输出端口和反向输入端口。
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