[发明专利]高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201910710859.4 | 申请日： | 2019-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN112310210A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 张峻铭;侯俊良;廖文荣 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/207;H01L29/205;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高电子迁移率晶体管，其包含一基底；一缓冲层，设于所述基底上；一氮化镓通道层，位于所述缓冲层上；一第一氮化铝镓层，位于所述氮化镓通道层上；一氮化铝蚀刻停止层，位于所述第一氮化铝镓层上；以及一P型氮化镓层，位于所述氮化铝蚀刻停止层上。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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