[发明专利]高电子迁移率晶体管

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：

基底；

缓冲层，设于所述基底上；

氮化镓通道层，位于所述缓冲层上；

第一氮化铝镓层，位于所述氮化镓通道层上；

氮化铝蚀刻停止层，位于所述第一氮化铝镓层上；以及

P型氮化镓层，位于所述氮化铝蚀刻停止层上。

2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中所述第一氮化铝镓层为P型氮化铝镓层或本质型氮化铝镓层。

3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中另包含一栅极凹陷，位于所述氮化铝蚀刻停止层上。

4.如权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中另包含第二氮化铝镓层，位于所述氮化铝蚀刻停止层上。

5.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其中另包含钝化层，位于所述第二氮化铝镓层上。

6.如权利要求5所述的高电子迁移率晶体管，其中所述钝化层包含氮化铝、氧化铝、氧化硅或氮化硅。

7.如权利要求5所述的高电子迁移率晶体管，其中所述栅极凹陷穿过所述钝化层和所述第二氮化铝镓层。

8.如权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中所述P型氮化镓层设置在所述栅极凹陷中。

9.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其中所述P型氮化镓层在所述栅极凹陷中直接接触所述氮化铝蚀刻停止层。

10.如权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中所述栅极凹陷未穿过所述氮化铝蚀刻停止层，又其中所述栅极凹陷完全被所述P型氮化镓层填满。

11.如权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中另包含栅极金属层，位于所述P型氮化镓层上。

12.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，其中所述栅极金属层包含镍、金、银、钛、铜、铂或其合金。

13.如权利要求11所述的高电子迁移率晶体管，其中另包含源极金属层和漏极金属层，穿过所述钝化层、所述第二氮化铝镓层、所述氮化铝蚀刻停止层、所述第一氮化铝镓层，并延伸进入到所述氮化镓通道层中。

14.如权利要求13所述的高电子迁移率晶体管，其中所述源极金属层和所述漏极金属层包含镍、金、银、铂、钛、氮化钛或以上任意组合。

15.如权利要求5所述的高电子迁移率晶体管，其中所述第二氮化铝镓层的厚度大于所述第一氮化铝镓层的厚度。

16.如权利要求5所述的高电子迁移率晶体管，其中所述第二氮化铝镓层的厚度介于2nm至30nm之间，又其中所述第一氮化铝镓层的厚度介于2nm至10nm之间。

17.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中另包含氮化铝层，位于所述P型氮化镓层上。

18.如权利要求5所述的高电子迁移率晶体管，其中所述第二氮化铝镓层的铝含量大于所述第一氮化铝镓层的铝含量。

19.如权利要求18所述的高电子迁移率晶体管，其中所述第二氮化铝镓层的铝含量介于10～50％。

20.如权利要求19所述的高电子迁移率晶体管，其中所述第一氮化铝镓层的铝含量介于0～30％。