[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910708550.1 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN112310253B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 王天锋 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 方良 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管，包括阳极、复合层以及位于所述阳极和所述复合层之间的量子点发光层；其中，所述复合层靠近所述量子点发光层的表面为氧化铝，所述复合层自靠近所述量子点发光层的表面沿背离所述量子点发光层的表面方向铝含量逐渐增大。该器件不仅有利于电子向量子点发光层注入，而且可以很好地阻挡复合层中的铝材料和电子传输层之间的扩散，从而防止形成更多氧空位等深能级缺陷，最终提高器件的效率与寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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