[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管，包括阳极、复合层以及位于所述阳极和所述复合层之间的量子点发光层；其中，所述复合层靠近所述量子点发光层的表面为氧化铝，所述复合层自靠近所述量子点发光层的表面沿背离所述量子点发光层的表面方向铝含量逐渐增大。该器件不仅有利于电子向量子点发光层注入，而且可以很好地阻挡复合层中的铝材料和电子传输层之间的扩散，从而防止形成更多氧空位等深能级缺陷，最终提高器件的效率与寿命。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点是半径小于或者接近波尔激子半径的纳米晶颗粒，其尺寸粒径一般介于2-20nm之间。量子点具有量子限域效应，受激发后可以发射荧光，而且量子点具有独特的发光特性，例如激发峰宽、发射峰窄、发光光谱可调等性质，使得其在光电发光领域具有广阔的应用前景。量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)就是将胶体量子点作为发光层的器件，在不同的导电材料之间引入所述发光层从而得到所需要波长的光，这种器件具有色域高、自发光、启动电压低、响应速度快等优点。

为了提高器件效率，使载流子在量子点发光层复合，目前常采用电子传输层来阻挡空穴和调整电子注入速率，常用的电子传输层由纳米ZnO溶液旋涂制得。ZnO的电子亲和能为4.1eV，而目前效率较高的CdSe基量子点电子亲和能为3.6eV左右，即电子传输层与量子点发光层间的势垒较大(0.5eV)，这样易形成肖特基接触，电子在注入过程中存在能量损耗影响器件效率，而且ZnO的电子亲和能大于量子点发光层，这样不利于电子的注入；同时纳米ZnO溶液旋涂制得的ZnO电子传输层存在氧空位等深能级缺陷，容易捕获电子复合而降低器件效率，另外，旋涂制得的ZnO电子传输层需要较高的退火温度来使溶剂完全挥发，以改善膜层性能，而较高的退火温度会降低量子点(QDs)的发光效率。

目前量子点发光二极管器件常用的阴极材料为蒸镀的Al层。Al作为一种较活泼的金属，在与ZnO电子传输层或者量子点发光层接触时，会产生相互扩散，导致电子传输层和阴极层产生大量的氧空位等深能级缺陷，易引起电子在深能级复合而降低器件效率。另外，Al电极易与空气中的水氧、甚至封装层材料反应，从而破坏器件结构，影响器件性能和寿命。

因此，现有技术有待改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点发光二极管的铝阴极容易扩散，从而影响器件的效率的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种量子点发光二极管，包括阳极、复合层以及位于所述阳极和所述复合层之间的量子点发光层；其中，所述复合层靠近所述量子点发光层的表面为氧化铝，所述复合层自靠近所述量子点发光层的表面沿背离所述量子点发光层的表面方向铝含量逐渐增大。

本发明提供的量子点发光二极管中，在量子点发光层背离阳极的一面设置一层由铝和氧化铝组成的特有的复合层，氧化铝具有电子传输功能，而铝为阴极材料，这样的复合层既可以用做电子传输也可做阴极，该复合层的电子亲和能在3.5eV左右之间，小于目前常用的量子点材料，且与量子点发光层势垒较小，可以减小界面电阻，从而有利于电子向量子点发光层注入，提高器件效率；该复合层靠近量子点发光层的表面为氧化铝可以很好的传输电子，而复合层靠近量子点发光层的表面沿背离量子点发光层的表面方向铝含量逐渐增大，这样程阶梯分布的氧化铝和铝组成的复合层，可以很好地阻挡复合层中的铝材料和电子传输层之间的扩散，从而防止形成更多氧空位等深能级缺陷，最终提高器件的效率与寿命。

本发明另一方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：

提供基板，所述基板表面设置有阳极；

在所述基板上制备量子点发光层；