[发明专利]氧空位型金属氧化物半导体的制备方法在审
| 申请号： | 201910705688.6 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110560022A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 赵彩凤;杨亚辉;罗琳;邵赛;邵颖;张乐平 | 申请（专利权）人： | 湖南农业大学;湖南省核农学与航天育种研究所 |
| 主分类号： | B01J21/06 | 分类号： | B01J21/06;B01J23/30;C02F1/30;C02F101/30;C02F101/38 |
| 代理公司： | 44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 肖云 |
| 地址： | 410128 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了氧空位型金属氧化物半导体的制备方法，该方法解决了现有技术中，制备氧空位型半导体材料时存在的对设备要求高，有安全隐患，制备过程中会引入难以消除的杂质元素的问题，安全可靠性高，设备要求低，试剂易得，工艺流程简单，易于推广，通过本发明实施例的方法制备得到的氧空位型半导体材料，光电化学活性高于现有技术制备的同种材料，本发明实施例的制备方法，在制备氧空位时具有定量可控性，通过控制辐射剂量即可得到不同含量的氧空位的半导体催化剂。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 氧空位 半导体材料 金属氧化物半导体 半导体催化剂 安全可靠性 安全隐患 辐射剂量 光电化学 设备要求 同种材料 杂质元素 制备过程 工艺流程 对设备 可控性 引入 | ||
【主权项】：
1.氧空位型金属氧化物半导体的制备方法，其特征在于，步骤包括：/nS1：将金属氧化物粉末分散在自由基淬灭剂中，形成金属氧化物分散体系；/nS2：排除所述金属氧化物分散体系中的氧，得到悬浊液；/nS3：对步骤S2的悬浊液进行高能射线辐照处理；/nS4：固液分离步骤S3所得产物，将固体产物清洗干燥后即得所述氧空位型金属氧化物半导体。/n
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