[发明专利]一种晶体管器件增强型和耗尽型栅极集成制作方法及器件有效
| 申请号： | 201910705434.4 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110429028B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 郑育新;詹智梅;陈东仰;肖俊鹏;林豪;王潮斌;林张鸿;林伟铭 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;郭鹏飞 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶体管器件增强型和耗尽型栅极集成制作方法及器件，其中方法包括如下步骤：在完成增强型的栅极的器件表面，沉积保护层；涂布光阻，并在耗尽型栅极位置进行显影开口，所述开口为梯形窗口；以光阻为掩膜蚀刻耗尽型栅极位置的保护层；继续蚀刻耗尽型栅极位置的帽层；蒸镀金属，沉积金属到耗尽型栅极位置形成耗尽型栅极。本发明通过在增强型栅极制作完成之后，立即沉积上保护层，可以第一时间保护器件，避免栅极受到粒子、氧化物、氢气等外界因素的影响，保护了栅极金属的健壮。而后在制作耗尽型栅时，可以采用正光阻的图形反转技术，丰富了工艺的选择性。避免采用负光阻所面临的光阻粘附性差，蚀刻后光阻脱落等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 器件 增强 耗尽 栅极 集成 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管器件增强型和耗尽型栅极集成制作方法，其特征在于，包括如下步骤：在完成增强型的栅极的器件表面，沉积保护层；涂布光阻，并在耗尽型栅极位置进行显影开口，所述开口为梯形窗口；以光阻为掩膜蚀刻耗尽型栅极位置的保护层；继续蚀刻耗尽型栅极位置的帽层；蒸镀金属，沉积金属到耗尽型栅极位置形成耗尽型栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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