[发明专利]一种晶体管器件增强型和耗尽型栅极集成制作方法及器件

说明书

本发明公开一种晶体管器件增强型和耗尽型栅极集成制作方法及器件，其中方法包括如下步骤：在完成增强型的栅极的器件表面，沉积保护层；涂布光阻，并在耗尽型栅极位置进行显影开口，所述开口为梯形窗口；以光阻为掩膜蚀刻耗尽型栅极位置的保护层；继续蚀刻耗尽型栅极位置的帽层；蒸镀金属，沉积金属到耗尽型栅极位置形成耗尽型栅极。本发明通过在增强型栅极制作完成之后，立即沉积上保护层，可以第一时间保护器件，避免栅极受到粒子、氧化物、氢气等外界因素的影响，保护了栅极金属的健壮。而后在制作耗尽型栅时，可以采用正光阻的图形反转技术，丰富了工艺的选择性。避免采用负光阻所面临的光阻粘附性差，蚀刻后光阻脱落等问题。

技术领域

本发明涉及半导体器件制作领域，尤其涉及一种晶体管器件增强型和耗尽型栅极集成制作方法及器件。

背景技术

在PHEMT(赝调制掺杂异质结场效应晶体管)器件同时集成增强型和耗尽型的工艺中，先通过制作第一层金属，而后制造增强型的栅极，随后再利用光阻，涂胶，曝光，显影，再辅以金属蒸镀等工艺以完成耗尽型栅的制造。现有工艺具有如下缺点：

缺点1：只能采用负光阻，不能使用正光阻，也不能使用正光阻的图形反转技术，工艺的可选择度很有限。

缺点2：负光阻分辨率低，粘附性差，在蚀刻时可能会导致光阻脱落的问题，工艺开发难度大。

发明内容

为此，需要提供一种晶体管器件增强型和耗尽型栅极集成制作方法及器件，解决现有晶体管器件制作过程工艺选择有限以及开发难度大的问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种晶体管器件增强型和耗尽型栅极集成制作方法，包括如下步骤：

在完成增强型的栅极的器件表面，沉积保护层；

涂布光阻，并在耗尽型栅极位置进行显影开口，所述开口为梯形窗口；

以光阻为掩膜蚀刻耗尽型栅极位置的保护层；

继续蚀刻耗尽型栅极位置的帽层；

蒸镀金属，沉积金属到耗尽型栅极位置形成耗尽型栅极。

进一步地，所述光阻为正光阻，显影时采用正光阻的图形反转技术。

进一步地，所述保护层为氮化物层。

进一步地，保护层的蚀刻为干蚀刻。

进一步地，帽层的蚀刻为湿蚀刻。

进一步地，所述晶体管为赝调制掺杂异质结场效应晶体管。

本发明提供一种晶体管器件，所述晶体管器件由上述任意一项所述的一种晶体管器件增强型和耗尽型栅极集成制作方法制得。

区别于现有技术，上述技术方案通过在增强型栅极制作完成之后，立即沉积上保护层，可以第一时间保护器件，避免栅极受到粒子、氧化物、氢气等外界因素的影响，保护了栅极金属的健壮。而后在制作耗尽型栅时，可以采用正光阻的图形反转技术，丰富了工艺的选择性。避免采用负光阻所面临的光阻粘附性差，蚀刻后光阻脱落等问题。

附图说明

图1为改进前技术所述的耗尽型栅极光阻开口的结构示意图；

图2为具体实施方式所述的保护层沉积后的结构示意图；

图3为具体实施方式所述的耗尽型栅极光阻开口的结构示意图；

图4为具体实施方式所述的保护层和帽层蚀刻后的结构示意图；

图5为具体实施方式所述的耗尽型栅极制作完成后的结构示意图。

附图标记说明：

1、保护层；

2、光阻；