[发明专利]一种使用激光环切解决3D NAND晶圆薄片裂片问题的方法在审
| 申请号： | 201910704935.0 | 申请日： | 2019-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN110323183A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 彭东平;梁启鹏 | 申请（专利权）人： | 沛顿科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B23K26/38;B23K26/402 |
| 代理公司： | 东莞市中正知识产权事务所(普通合伙) 44231 | 代理人： | 徐康 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用激光环切解决3D NAND晶圆薄片裂片问题的方法，贴膜：在晶圆外部贴膜，覆盖整个晶圆；激光环切：3D NAND晶圆的存储单元，在高倍显微镜下观察可见每个晶圆颗粒有许多7um左右的凸起来的存储单元，而边缘的边角料因为没有存储单元，导致边缘真空吸取不良，容易凸起，受到外力时容易破损，因此使用激光环切对3D NAND晶圆的存储单元边缘进行激光切割；薄片+贴膜：对激光切割后的晶圆进行薄片处理，并在此进行贴膜操作；划片：通过P1‑P3操作后，进行晶圆的划片处理。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 存储单元 环切 贴膜 激光 激光切割 晶圆薄片 划片 裂片 高倍显微镜 薄片处理 晶圆颗粒 真空吸取 整个晶圆 边角料 凸起 破损 外部 覆盖 观察 | ||
【主权项】：
1.一种使用激光环切解决3D NAND晶圆薄片裂片问题的方法，其特征在于，包括如下步骤：贴膜：在晶圆外部贴膜，覆盖整个晶圆；激光环切：3D NAND晶圆的存储单元，在高倍显微镜下观察可见每个晶圆颗粒有许多7um左右的凸起来的存储单元，而边缘的边角料因为没有存储单元，导致边缘真空吸取不良，容易凸起，受到外力时容易破损，因此使用激光环切对3D NAND晶圆的存储单元边缘进行激光切割；薄片+贴膜：对激光切割后的晶圆进行薄片处理，并在此进行贴膜操作；划片：通过P1‑P3操作后，进行晶圆的划片处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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