[发明专利]一种使用激光环切解决3D NAND晶圆薄片裂片问题的方法

说明书

本发明公开了一种使用激光环切解决3D NAND晶圆薄片裂片问题的方法，贴膜：在晶圆外部贴膜，覆盖整个晶圆；激光环切：3D NAND晶圆的存储单元，在高倍显微镜下观察可见每个晶圆颗粒有许多7um左右的凸起来的存储单元，而边缘的边角料因为没有存储单元，导致边缘真空吸取不良，容易凸起，受到外力时容易破损，因此使用激光环切对3D NAND晶圆的存储单元边缘进行激光切割；薄片+贴膜：对激光切割后的晶圆进行薄片处理，并在此进行贴膜操作；划片：通过P1‑P3操作后，进行晶圆的划片处理。

技术领域

本发明涉及一种使用激光环切解决3D NAND晶圆薄片裂片问题的方法。

背景技术

随着技术的发展，闪存的存储芯片单元，由原来的2D发展到了3D，即存储单元的结构已经由原来的平面结构变成了立体结构，这同时也要求了相应的封装工艺需要升级更新，其中薄片工站是3D NAND封装所需要突破的重点。

如图1所示，是3D NAND存储单元结构图，沿用现在2D的工艺，发现在晶圆薄片后，边缘均有破损，更改磨轮，薄片膜，优化机器参数等都没有明显的改善，如图2所示，为薄片后边缘破损示意图。

现有技术采用sDBG方案：sDBG (Stealth Dicing Before Grinding ) 工艺，主要是在薄片前，用激光将晶圆进行切割到一定深度(预留一定余量)，然后进行薄片，再贴磨，最后通过扩片将晶圆扩片，完成芯片和胶带的切割，该方案技术已经成熟，但需要巨额投资设备。

因此寻找一种低成本，高良品率的晶圆切割少裂片的方法，能够有效提高晶圆产能。

发明内容

针对背景技术所提到的问题，本发明要解决的技术问题是提供一种使用激光环切解决3D NAND晶圆薄片裂片问题的方法，该方法利用激光环切方案实现。

本发明的一种使用激光环切解决3D NAND晶圆薄片裂片问题的方法，包括如下步骤：

贴膜：在晶圆外部贴膜，覆盖整个晶圆；

激光环切：3D NAND晶圆的存储单元，在高倍显微镜下观察可见每个晶圆颗粒有许多7um左右的凸起来的存储单元，而边缘的边角料因为没有存储单元，导致边缘真空吸取不良，容易凸起，受到外力时容易破损，因此使用激光环切对3D NAND晶圆的存储单元边缘进行激光切割；

薄片+贴膜：对激光切割后的晶圆进行薄片处理，并在此进行贴膜操作；

划片：通过P1-P3操作后，进行晶圆的划片处理。

作为优选，所述晶圆表面的贴膜为PE或PVC材质的一种或多种。

作为优选，所述晶圆贴膜依靠晶圆贴膜设备张贴，优选贴膜为蓝膜。

所述激光环切通过激光切割机对3D NAND晶圆定点实现切割，激光切割机连接可编程控制器和摄像头，事先通过在可编程控制器的图形化界面内输入晶圆半径大小，设置切割参数，包括切割外径和切割内径，然后通过摄像头定位切割外径和切割内径，控制激光切割头定位到切割内径内，实现沿切割内径进行切割。

摄像头通过视觉算法定位3D NAND晶圆的切割外径和切割内径，切割外径和切割内径之间形成切割宽度。

本发明优点：

1. 本发明只需要增加激光环切一个工站，增加一种设备即可。

2. 激光环切设备简单，国内供应商即可完成设备订做，费用也较低，只需要约30WRMB。

附图说明

为了易于说明，本发明由下述的具体实施及附图作以详细描述。

图1为3D NAND存储单元结构图。

图2为薄片后边缘破损。