[发明专利]可变电阻式内存及其制造方法在审
| 申请号： | 201910698899.1 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112310278A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 白昌宗;林铭哲;刘奇青;赵鹤轩;郑嘉文 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可变电阻式内存及其制造方法。该可变电阻式内存，包括：一下电极；一金属氧化层，形成于该下电极上，其中该金属氧化层包括多个导电丝区域，每一导电丝区域具有一底部与一顶部，且该底部的宽度大于该顶部的宽度，其中所述导电丝区域包括氧空缺，该金属氧化层中所述导电丝区域以外的区域为含氮区域；以及多个上电极，形成于该金属氧化层上，分别对应所述导电丝区域。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 内存 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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