[发明专利]可变电阻式内存及其制造方法

权利要求书

1.一种可变电阻式内存，其特征在于，所述可变电阻式内存包括：

一下电极；

一金属氧化层，形成于该下电极上，其中该金属氧化层包括多个导电丝区域，每一导电丝区域具有一底部与一顶部，且该底部的宽度大于该顶部的宽度，其中所述导电丝区域包括氧空缺，该金属氧化层中所述导电丝区域以外的区域包括含氮区域；以及

多个上电极，形成于该金属氧化层上，分别对应所述导电丝区域。

2.根据权利要求1所述的可变电阻式内存，其特征在于，所述金属氧化层为一连续式金属氧化层，且所述导电丝区域彼此相邻。

3.根据权利要求1所述的可变电阻式内存，其特征在于，所述下电极包括多个分离部。

4.根据权利要求3所述的可变电阻式内存，其特征在于，所述金属氧化层包括多个分离部，且该金属氧化层的每一分离部分别包括一个该导电丝区域。

5.根据权利要求4所述的可变电阻式内存，其特征在于，所述可变电阻式内存还包括一基板，具有多个沟槽，其中该下电极的所述分离部分别形成于所述沟槽中。

6.根据权利要求5所述的可变电阻式内存，其特征在于，所述下电极的每一分离部包括一主要部分与多个延伸部分，所述延伸部分自该主要部分的上表面以弯折型态延伸。

7.根据权利要求6所述的可变电阻式内存，其特征在于，所述金属氧化层的所述分离部分别形成于该下电极的该主要部分上，并为该下电极的所述延伸部分所包围。

8.根据权利要求3所述的可变电阻式内存，其特征在于，所述金属氧化层为一连续式金属氧化层，且该金属氧化层覆盖该下电极的所述分离部的侧壁。

9.根据权利要求3所述的可变电阻式内存，其特征在于，所述金属氧化层为一连续式金属氧化层，且所述上电极覆盖该金属氧化层的侧壁。

10.一种可变电阻式内存的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板；

形成多个沟槽于该基板中；

形成多个下电极于所述沟槽中；

形成多个金属氧化层于所述下电极上，并为所述下电极所包围；

对所述金属氧化层进行一氮离子工艺，以于所述金属氧化层中形成多个导电丝区域以及所述导电丝区域以外的含氮区域；以及

形成多个上电极于所述金属氧化层上。

11.根据权利要求10所述的可变电阻式内存的制造方法，其特征在于，所述氮离子工艺包括氮离子注入工艺，其注入角度大约介于10到80度之间，并旋转4到8次，每次旋转角度大约介于45到90度之间。

12.根据权利要求10所述的可变电阻式内存的制造方法，其特征在于，所述方法还包括于该氮离子工艺之后，对所述金属氧化层进行退火工艺。