[发明专利]用于半导体器件的功率金属化结构在审
| 申请号： | 201910693203.6 | 申请日： | 2019-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN110783308A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | R.K.约希;R.佩尔策;A.比尔克;M.内尔希贝尔;S.施密德鲍尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘书航;申屠伟进 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 公开了用于半导体器件的功率金属化结构。半导体器件包括半导体衬底、形成在半导体衬底上面的功率金属化结构、以及形成在功率金属化结构和半导体衬底之间的阻挡层。阻挡层被配置为防止金属原子在朝向半导体衬底的方向上从功率金属化结构扩散。功率金属化结构在第一区中与阻挡层或者形成在阻挡层上的导电层直接接触。半导体器件进一步包括在第二区中被插入在阻挡层和功率金属化结构之间的钝化层。还描述了制造半导体器件的对应方法。 | ||
| 搜索关键词： | 功率金属 阻挡层 半导体器件 衬底 半导体 结构扩散 金属原子 导电层 第一区 钝化层 配置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n半导体衬底；/n功率金属化结构，其形成在所述半导体衬底上面；/n阻挡层，其形成在所述功率金属化结构和所述半导体衬底之间，所述阻挡层被配置为防止金属原子在朝向所述半导体衬底的方向上从所述功率金属化结构扩散，所述功率金属化结构在第一区中与所述阻挡层或者形成在所述阻挡层上的导电层直接接触；以及/n钝化层，其在第二区中被插入在所述阻挡层和所述功率金属化结构之间。/n
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