[发明专利]用于半导体器件的功率金属化结构

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

功率金属化结构，其形成在所述半导体衬底上面；

阻挡层，其形成在所述功率金属化结构和所述半导体衬底之间，所述阻挡层被配置为防止金属原子在朝向所述半导体衬底的方向上从所述功率金属化结构扩散，所述功率金属化结构在第一区中与所述阻挡层或者形成在所述阻挡层上的导电层直接接触；以及

钝化层，其在第二区中被插入在所述阻挡层和所述功率金属化结构之间。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述阻挡层在第二区中被结构化为信号布线结构。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述功率金属化结构被部署在第二区中的信号布线结构上方，并且其中通过第二区中的钝化层来使信号布线结构与所述功率金属化结构绝缘。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中独立于第二区中的信号布线结构来结构化所述功率金属化结构。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中第一区和第二区直接邻接，其中在第一区和第二区中所述功率金属化结构和所述阻挡层是未图案化的，并且其中在第二区中钝化层覆盖所述阻挡层的外周。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中在第二区中所述阻挡层横向地延伸超出所述功率金属化结构的侧面。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中在第二区中所述阻挡层横向地延伸超出所述功率金属化结构的侧面500nm和5微米之间。

8.如权利要求5所述的半导体器件，其中在第二区的与第一区分隔开的区段中钝化层被插入在所述阻挡层和所述功率金属化结构之间。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中在第二区的与第一区分隔开的区段中所述阻挡层被结构化为信号布线结构。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中在第二区的与第一区分隔开的区段中所述功率金属化结构被部署在信号布线结构上方，并且其中通过钝化层使信号布线结构与所述功率金属化结构绝缘。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其中在第二区的与第一区分隔开的区段中独立于信号布线结构来结构化所述功率金属化结构。

12.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括在第二区中被插入在所述阻挡层和钝化层之间的中间层，其中所述中间层在第二区中被与所述阻挡层相同地结构化。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述阻挡层包括TiW，所述中间层包括AlCu并且所述功率金属化结构包括Cu。

14.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括在第二区中被插入在钝化层和所述功率金属化结构之间的中间层。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其中所述阻挡层包括TiW，所述中间层包括TiW并且所述功率金属化结构包括Cu。

16.如权利要求1所述的半导体器件，其中在第二区中省略在所述阻挡层上面的所述功率金属化结构。

17.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上面形成阻挡层，所述阻挡层被配置为防止金属原子在朝向所述半导体衬底的方向上从所述阻挡层上面扩散；

结构化所述阻挡层；以及

在结构化所述阻挡层之后，在结构化的所述阻挡层上面形成功率金属化结构而不针对所述功率金属化结构形成附加阻挡层，所述功率金属化结构在第一区中与所述阻挡层或者形成在所述阻挡层上的导电层直接接触。