[发明专利]一种半导体多孔晶体薄膜传感器及制备方法有效
| 申请号： | 201910687309.5 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN110412082B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 黄辉;渠波;赵丹娜;陈顺姬;周佳玲 | 申请（专利权）人： | 黄辉;渠波;赵丹娜 |
| 主分类号： | G01N27/06 | 分类号： | G01N27/06;G01N27/407 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人： | 耿璐璐;朱黎光 |
| 地址： | 116024 辽宁省大连市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体多孔晶体薄膜传感器及制备方法，包括衬底和设置在衬底上的致密多孔晶体薄膜，所述致密多孔晶体薄膜是由尖锥状凸起交联组成的多孔网格结构，所述尖锥状凸起的侧壁之间构成倒尖锥形状的倒尖锥孔。本申请的致密多孔晶体薄膜是一次性生长而成，具有制备工艺简单、比表面积大、且表面活性高等优势；致密多孔晶体薄膜，是由倒尖锥状的孔构成，有利于待测样品进出小孔、并具有大的比表面积；其孔壁为尖锥状结构，更为结实稳定；选用的氮化物半导体材料属于第三代半导体材料，具有优异的化学稳定性，如耐酸碱腐蚀，更适用于高可靠性的半导体传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 多孔 晶体 薄膜 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体多孔晶体薄膜传感器，其特征在于，包括衬底和设置在衬底上的致密多孔晶体薄膜，所述致密多孔晶体薄膜是由尖锥状凸起交联组成的多孔网格结构，所述尖锥状凸起的侧壁之间构成倒尖锥形状的倒尖锥孔。
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