[发明专利]一种半导体多孔晶体薄膜传感器及制备方法

权利要求书

1.一种半导体多孔晶体薄膜传感器的制备方法，其特征在于，所述半导体多孔晶体薄膜传感器包括衬底和设置在衬底上的致密多孔晶体薄膜，所述致密多孔晶体薄膜是由尖锥状凸起交联组成的多孔网格结构，所述尖锥状凸起的侧壁之间构成倒尖锥形状的倒尖锥孔；所述尖锥状凸起的侧壁是半导体晶面，所述尖锥的夹角处于30°至120°之间；所述致密多孔晶体薄膜的材料为存在丰富氮空位且具有表面活性的氮化物；

所述致密多孔晶体薄膜的生长温度，比同类生长条件下的单晶薄膜的生长温度低100-500℃；

所述致密多孔晶体薄膜的生长采用化学气相沉积技术或物理气相沉积工艺。

2.根据权利要求1所述的一种半导体多孔晶体薄膜传感器的制备方法，其特征在于，所述倒尖锥孔的孔径分布从纳米量级至微米量级。

3.根据权利要求1所述的一种半导体多孔晶体薄膜传感器的制备方法，其特征在于，所述致密多孔晶体薄膜表面设置有其他材质的半导体晶体薄膜。

4.根据权利要求3所述的一种半导体多孔晶体薄膜传感器的制备方法，其特征在于，所述半导体晶体薄膜为氧化物半导体薄膜。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的一种半导体多孔晶体薄膜传感器的制备方法，其特征在于，所述致密多孔晶体薄膜表面设置有金属膜，在金属膜表面修饰有羧基、羧基或巯基。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的一种半导体多孔晶体薄膜传感器的制备方法，其特征在于，所述致密多孔晶体薄膜经过部分或全部氧化。