[发明专利]一种单面湿法黑硅制绒方法

摘要

本发明涉及一种单面湿法黑硅制绒方法，通过将硅片以两两相并的方式贴合在一起放置，分别进行碱液抛光，沉积金属颗粒，电化学反应挖孔，而后将贴合的两片分开，修饰孔洞，去除金属离子残留的方式，制备单面制绒黑硅片。制绒后的硅片贴合面经过抛光，非贴合面具有蠕虫状的孔洞结构。本发明中，在完成挖孔后立即进行分片，去除金属残留，避免扩孔反应中的二次挖孔，挖孔后再次进行清洗，去除剩余金属离子，此方法中金属残留量小，制程量率高。本发明工艺使得金属颗粒残留比例更低，非制绒面更平整，最终达到产量提升100%，成本降低40%，电池转化效率提升0.05%的效果。

主权项

1.一种单面湿法黑硅制绒方法，其特征在于：包括以下步骤：/n（1）将硅片放置于花篮中，浸入碱液进行双面抛光；/n（2）将步骤（1）中抛光后的硅片进行水洗、酸洗、水洗，去除硅片表面残余碱液；/n（3）将步骤（2）中水洗后的硅片浸入金属盐和氢氟酸混合溶液，进行金属颗粒沉积；/n（4）将步骤（3）中表面带有纳米级金属颗粒的硅片静置于氢氟酸和双氧水混合溶液中，在电化学反应作用下，金属颗粒由硅片表面向深处“挖孔”，形成亚微米级蠕虫状孔洞；/n（5）采用氨水和双氧水清洗步骤（4）中硅片表面残留金属颗粒；/n（6）将步骤（5）中初步去除金属颗粒的硅片进行分片，使硅片两两分离；/n（7）将步骤（6）中分片后的硅片浸入氢氟酸和硝酸混合液进行刻蚀，扩大孔洞；/n（8）利用氨水和双氧水清洗步骤（7）中硅片表面残留金属颗粒；/n（9）针对步骤（8）中的硅片抛光后进行水洗、酸洗、水洗，去除残余杂质；/n（10）针对步骤（9）中水洗后的硅片经过预脱水和烘干处理，去除残余水分。/n