[发明专利]一种单面湿法黑硅制绒方法

权利要求书

1.一种单面湿法黑硅制绒方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）将硅片放置于花篮中，浸入碱液进行双面抛光；

（2）将步骤（1）中抛光后的硅片进行水洗、酸洗、水洗，去除硅片表面残余碱液；

（3）将步骤（2）中水洗后的硅片浸入金属盐和氢氟酸混合溶液，进行金属颗粒沉积；

（4）将步骤（3）中表面带有纳米级金属颗粒的硅片静置于氢氟酸和双氧水混合溶液中，在电化学反应作用下，金属颗粒由硅片表面向深处“挖孔”，形成亚微米级蠕虫状孔洞；

（5）采用氨水和双氧水清洗步骤（4）中硅片表面残留金属颗粒；

（6）将步骤（5）中初步去除金属颗粒的硅片进行分片，使硅片两两分离；

（7）将步骤（6）中分片后的硅片浸入氢氟酸和硝酸混合液进行刻蚀，扩大孔洞；

（8）利用氨水和双氧水清洗步骤（7）中硅片表面残留金属颗粒；

（9）针对步骤（8）中的硅片抛光后进行水洗、酸洗、水洗，去除残余杂质；

（10）针对步骤（9）中水洗后的硅片经过预脱水和烘干处理，去除残余水分。

2.根据权利要求1所述的单面湿法黑硅制绒方法，其特征在于：所述步骤（1）中，对硅片表面进行碱抛光时，采用碱抛光液进行双面抛光，所述碱抛光液质量百分比浓度为2%～30%，抛光温度为50℃～90℃，抛光时间为60s～600s，碱抛光液为氢氧化钾、氢氧化钠、有机碱或上述碱液的混合物。

3.根据权利要求1所述的单面湿法黑硅制绒方法，其特征在于：所述步骤（2）中，双面抛光后纯水清洗，清洗时间为10s～200s，温度为10℃～35℃；纯水清洗后进行酸清洗，酸清洗时采用质量百分比浓度为1%～5%的硝酸溶液，清洗时间10s～200s，温度10℃～35℃；酸洗后进行第二次纯水清洗，清洗时间为10s～200s，温度为10℃～35℃。

4.根据权利要求1所述的单面湿法黑硅制绒方法，其特征在于：所述步骤（3）中，将双面抛光硅片静置于氢氟酸和金属盐混合溶液中，所用氢氟酸质量百分比浓度为0.1%～5%，金属盐溶液质量百分比浓度为0.1%～5%，反应温度为20℃～30℃。

5.根据权利要求1所述的单面湿法黑硅制绒方法，其特征在于：所述步骤（4）中，所用氢氟酸质量百分比浓度为3%～20%，所用双氧水质量百分比浓度为15%～50%，反应温度为25℃～40℃。

6.根据权利要求1所述的单面湿法黑硅制绒方法，其特征在于：所述步骤（5）中，对挖孔后的硅片进行碱清洗，用质量百分比浓度为1%～10%的氨水和质量百分比浓度为1%～10%的双氧水混合液，在20℃～40℃的温度下，清洗20s～200s，去除表面残留金属颗粒。

7.根据权利要求1所述的单面湿法黑硅制绒方法，其特征在于：所述步骤（7）中，硝酸质量百分比浓度为10%～70%，氢氟酸质量百分比浓度为3%～15%，反应温度为5℃～25℃。

8.根据权利要求1所述的单面湿法黑硅制绒方法，其特征在于：所述步骤（8）中，酸刻蚀后，对硅片进行碱清洗，用质量百分比浓度为1%～10%的氨水和质量百分比浓度为1%～10%的双氧水混合液，在20℃～40℃的温度下，清洗20s～200s，去除表面残留金属颗粒；同时使用质量百分比浓度为0.5%～5%的氢氧化钾或氢氧化钠溶液去除孔洞中的氧化硅。

9.根据权利要求1所述的单面湿法黑硅制绒方法，其特征在于：所述步骤（9）中，对经过碱洗的硅片进行纯水清洗、酸洗、纯水清洗，纯水清洗温度为10℃～35℃，时间20s～300s；酸洗使用质量百分比浓度0.5%～15%盐酸和质量百分比浓度0.5%～15%氢氟酸混合酸溶液进行，反应温度10℃～35℃，时间20s～300s。

10.根据权利要求1所述的单面湿法黑硅制绒方法，其特征在于：所述步骤（10）中，经过清洗后的硅片，进高温水槽进行预脱水，水槽温度75℃～90℃，清洗后由机械臂缓慢提拉花篮脱离水面，提拉速度0.5mm/s～5mm/s；然后将半干状态的硅片进烘干槽进行烘干，烘干温度75℃～95℃，烘干时间100s～600s。